上海海姆希科半導體有限公司曹維妙獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海海姆希科半導體有限公司申請的專利一種具有新型散熱結構的功率模塊獲國家實用新型專利權,本實用新型專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN223308989U 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的實用新型授權公告中獲悉:該實用新型的專利申請號/專利號為:202422064182.0,技術領域涉及:H01L23/473;該實用新型一種具有新型散熱結構的功率模塊是由曹維妙;毛先葉設計研發完成,并于2024-08-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種具有新型散熱結構的功率模塊在說明書摘要公布了:本實用新型屬于半導體功率模塊散熱領域,提供一種具有新型散熱結構的功率模塊,主要包括散熱器,設有冷卻腔,冷卻腔內設有第一隔板,第一隔板將冷卻腔分隔成由上至下分布的第一冷卻層和第二冷卻層;多個第一擋板,設置于所述第一隔板上,第一擋板將第一冷卻層分隔成多個冷卻區域;冷卻孔,設置于第一隔板上,多個所述冷卻孔連通第一冷卻層和第二冷卻層;冷卻物質進口和冷卻物質出口,均設置于散熱器的側壁上,冷卻物質進口與第二冷卻層連通;冷卻物質出口與第一冷卻層連通。本申請通過將冷卻腔分層設置,在第一隔板上設置冷卻孔,實現各個冷卻區域位置芯片的同步冷卻降溫,降低各個冷卻區域之間的溫差,提升散熱器的散熱能力和熱可靠性。
本實用新型一種具有新型散熱結構的功率模塊在權利要求書中公布了:1.一種具有新型散熱結構的功率模塊,其特征在于,包括: 覆銅陶瓷基板,其上設有多個芯片,所述芯片設置于所述覆銅陶瓷基板上方的第一面; 散熱器,包括散熱板和冷卻腔,所述散熱板設置于所述覆銅陶瓷基板下方的第二面,所述冷卻腔對所述散熱板的散熱面進行包覆,其中,所述冷卻腔內設有第一隔板,所述第一隔板將所述冷卻腔分隔成第一冷卻層和第二冷卻層,所述第一冷卻層設置于所述第二冷卻層上方; 多個第一擋板,設置于所述第一隔板上,多個所述第一擋板將第一冷卻層分隔成多個冷卻區域,多個冷卻區域位置與多個所述芯片位置對應; 冷卻孔,設置于所述第一隔板上,每個冷卻區域至少設有一個冷卻孔;多個所述冷卻孔連通所述第一冷卻層和所述第二冷卻層; 冷卻物質進口和冷卻物質出口,均設置于所述冷卻腔的側壁上,所述冷卻物質進口與所述第二冷卻層連通;所述冷卻物質出口與所述第一冷卻層連通。
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