深圳平湖實驗室朱志雄獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳平湖實驗室申請的專利一種晶圓的加工方法、晶圓加工設備及晶粒獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120300072B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510774209.1,技術領域涉及:H01L21/78;該發明授權一種晶圓的加工方法、晶圓加工設備及晶粒是由朱志雄設計研發完成,并于2025-06-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種晶圓的加工方法、晶圓加工設備及晶粒在說明書摘要公布了:本申請涉及半導體制造技術領域,特別涉及一種晶圓的加工方法、晶圓加工設備及晶粒。該加工方法包括如下步驟:采用第一激光隱切晶圓,以使晶圓內部形成改質層;采用劈刀從晶圓的正面劈裂晶圓,以使晶圓劃分為若干單個晶粒,且背面金屬層的背離襯底層的表面產生V型槽;對晶圓進行擴膜處理,以使若干單個晶粒互相分離。在劈裂過程中,背面金屬層的背離襯底層的表面產生V型槽,以使在擴膜處理時,背面金屬層會沿著V型槽分裂,從而使若干單個晶粒互相分離,不產生雙晶,進而提高了晶圓分片的效率和產品良率。此外,相對于現有的晶圓劃片方法,本申請的加工方法可以減少晶圓正面貼膜、背面開槽、UV解膠和撕膜四道工序,以精簡設備和降低加工成本。
本發明授權一種晶圓的加工方法、晶圓加工設備及晶粒在權利要求書中公布了:1.一種晶圓的加工方法,所述晶圓包括層疊設置的襯底層和背面金屬層,其特征在于,所述加工方法包括如下步驟: 采用第一激光隱切所述晶圓,以使所述晶圓內部形成改質層; 將所述晶圓置于兩個承載臺上,所述兩個承載臺之間具有間隙,采用劈刀從所述晶圓的正面劈裂所述晶圓,以使所述晶圓劃分為若干單個晶粒,其中,所述劈刀作用于所述背面金屬層的正對所述間隙的區域,所述兩個承載臺分別對所述背面金屬層施加一個反作用力,在所述劈刀的壓力、兩個所述反作用力的綜合作用下,所述背面金屬層的背離所述襯底層的表面產生V型槽,所述V型槽的開口背離所述襯底層; 對所述晶圓進行擴膜處理,所述背面金屬層會沿著所述V型槽分裂,以使所述若干單個晶粒互相分離。
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