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龍圖騰網獲悉北京中科新微特科技開發股份有限公司申請的專利半導體器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119230412B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411579041.0，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權半導體器件及其制備方法是由李壽全;劉志國;張彥飛;趙哿;溫霄霞;劉夢新設計研發完成，并于2024-11-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種半導體器件及其制備方法，半導體器件包括元胞區、柵總線及過渡區，過渡區位于元胞區與柵總線之間，過渡區包括襯底、外延層、主結層、柵氧化層、柵介質層，外延層設置于襯底一側，主結層設置于外延層背離襯底的一側，主結層包括調節區，調節區位于主結層背離襯底的一側，調節區與主結層的導電類型相反；柵氧化層設置于主結層背離襯底的一側，包括靠近元胞區的第一柵氧結構與靠近柵總線的第二柵氧結構，第一柵氧結構的厚度大于第二柵氧結構的厚度；柵介質層設置于柵氧化層背離襯底的一側。其中，第二柵氧結構與調節區接觸，第二柵氧結構在襯底上的正投影落入調節區在襯底上的正投影范圍內。

本發明授權半導體器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括元胞區、柵總線及過渡區，所述過渡區位于所述元胞區與所述柵總線之間，所述過渡區包括： 襯底； 外延層，設置于所述襯底一側； 主結層，設置于所述外延層背離所述襯底的一側，所述主結層包括調節區，所述調節區位于所述主結層背離所述襯底的一側，所述調節區與所述主結層的導電類型相反； 柵氧化層，設置于所述主結層背離所述襯底的一側，包括靠近所述元胞區的第一柵氧結構與靠近所述柵總線的第二柵氧結構、位于第一柵氧結構與第二柵氧結構之間的第三柵氧結構，所述第一柵氧結構的厚度大于所述第二柵氧結構的厚度，沿所述元胞區向所述柵總線的方向，所述第三柵氧結構的厚度逐漸減小； 柵介質層，設置于所述柵氧化層背離所述襯底的一側； 其中，所述第二柵氧結構與所述調節區接觸，所述第二柵氧結構在所述襯底上的正投影落入所述調節區在所述襯底上的正投影范圍內，所述第三柵氧結構在所述襯底上的正投影至少部分地落入所述調節區在所述襯底上的正投影范圍內。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京中科新微特科技開發股份有限公司，其通訊地址為：100012 北京市朝陽區北苑路58號航空科技大廈17層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。