北京大學王宗巍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉北京大學申請的專利一種存內計算陣列及其操作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119761439B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411772431.X，技術領域涉及：G06N3/065；該發明授權一種存內計算陣列及其操作方法是由王宗巍;羅天陽;蔡一茂;楊韻帆;黃如設計研發完成，并于2024-12-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種存內計算陣列及其操作方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種存內計算陣列及其操作方法，屬于半導體和CMOS混合集成電路技術領域。本發明設計了一種基于亞閾值電流的2T1R存內計算陣列，該陣列中每個單元由一個憶阻器、一個選通管T1和一個讀出管T2組成，寫入和擦除操作與1T1R陣列架構類似，但通過工作在亞閾值區的晶體管T2讀出，該讀出管產生的讀取電流較小，有利于存內計算并行度的增加，可實現100～1000量級的超高并行計算。同時讀出管T2的讀出電流與柵壓呈指數相關，可以得到更大的開關電流比，放大了存內計算單元的讀出窗口。相較于1T1R陣列架構，本發明能夠實現更復雜的存內計算操作，能夠靈活選擇操作策略，從而實現更高效的乘累加運算。
本發明授權一種存內計算陣列及其操作方法在權利要求書中公布了：1.一種存內計算陣列，其特征在于，包括一2T1R陣列，該陣列中每個2T1R單元由一個憶阻器、一個選通管T1和一個讀出管T2組成，憶阻器用于存儲權重信息，T1用于控制電流的通路，T2工作在亞閾值區，用于讀出憶阻器的狀態，T2的讀出電流與柵壓呈指數關系，其中憶阻器的陽極與T1的漏極和T2的柵極相連，憶阻器的陰極與寫源線WSL相連；T1的柵極受字線WL電壓控制，T1的源極與寫位線WBL相連，T1的漏極與憶阻器的陽極和T2的柵極相連；T2的柵極與憶阻器陽極相連，T2的源極和漏極分別與讀位線RBL和寫位線RSL相連，2T1R陣列的外圍連接多功能數字寫入單元和多模式模擬IO單元，用于控制2T1R陣列的寫入和讀取操作。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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