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龍圖騰網獲悉河北美泰電子科技有限公司申請的專利MEMS體硅結構的制備方法及MEMS傳感器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119349504B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411919039.3，技術領域涉及：B81C3/00；該發明授權MEMS體硅結構的制備方法及MEMS傳感器是由何洪濤;楊擁軍;姚世婷;羅蓉;陳鵬旭設計研發完成，并于2024-12-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本MEMS體硅結構的制備方法及MEMS傳感器在說明書摘要公布了：本申請適用于半導體器件技術領域，提供了一種MEMS體硅結構的制備方法MEMS傳感器，MEMS體硅結構包括第一硅基底和第二硅基底，該方法包括：在第一硅基底的正面刻蝕并填充第一盲孔；第一盲孔具有第一預設深度；在第一硅基底的背面正對第一盲孔的位置刻蝕第二盲孔；第二盲孔具有第二預設深度；第二盲孔的孔徑大于第一盲孔的孔徑；第一預設深度與第二預設深度之和為第一硅基底的厚度；填充第二盲孔，形成高腳杯結構的填充后的硅通孔結構；將第一硅基底的正面和第二硅基底進行鍵合，形成MEMS體硅結構。本申請能夠避免硅基底的底部產生“底切”或footing效應，提高硅通孔金屬籽晶層的覆蓋質量，從而提高硅通孔電性能的可靠性。

本發明授權MEMS體硅結構的制備方法及MEMS傳感器在權利要求書中公布了：1.一種MEMS體硅結構的制備方法，其特征在于，MEMS體硅結構包括第一硅基底和第二硅基底，其中，所述第一硅基底和所述第二硅基底之間設置有氧化層，所述第一硅基底的正面為與氧化層相鄰的表面，第一硅基底的背面為遠離氧化層的表面；該方法包括： 在第一硅基底的正面刻蝕第一盲孔；所述第一盲孔具有第一預設深度； 填充所述第一盲孔； 在所述第一硅基底的背面正對所述第一盲孔的位置刻蝕第二盲孔；所述第二盲孔具有第二預設深度；所述第二盲孔的孔徑大于所述第一盲孔的孔徑；所述第一預設深度與所述第二預設深度之和為所述第一硅基底的厚度； 填充所述第二盲孔，形成高腳杯結構的填充后的硅通孔結構； 將具有填充后的硅通孔結構的第一硅基底的正面和第二硅基底的一面進行鍵合，形成MEMS體硅結構；其中，硅通孔結構用于第一硅基底內部電路與外部導通； 所述將具有填充后的硅通孔結構的第一硅基底的正面和第二硅基底的一面進行鍵合包括：在具有填充后的硅通孔結構的第一硅基底的正面制備氧化層；將所述氧化層和所述第二硅基底的一面進行鍵合； 或者，在所述第二硅基底的一面制備氧化層；將具有填充后的硅通孔結構的第一硅基底的正面與所述氧化層進行鍵合。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人河北美泰電子科技有限公司，其通訊地址為：050000 河北省石家莊市鹿泉區美泰路1號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。