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龍圖騰網(wǎng)獲悉度亙核芯光電技術(shù)(蘇州)股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體激光器的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120109650B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510593718.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01S5/343；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體激光器的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法是由劉育銜;吳文俊;唐松;楊國文設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-05-09向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體激光器的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體激光器的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法。外延結(jié)構(gòu)包括：自下而上層疊設(shè)置的第一波導(dǎo)層，第一阻擋層，第一勢壘層，量子阱層，第二勢壘層，第二阻擋層，第二波導(dǎo)層。通過調(diào)節(jié)第一波導(dǎo)層、第一勢壘層、第二勢壘層和第二波導(dǎo)層中鋁元素和鎵元素的不同含量，調(diào)節(jié)第一阻擋層中鎵元素和銦元素的不同含量，以及調(diào)節(jié)第二阻擋層中，鋁元素、鎵元素和銦元素的不同含量，使得第一導(dǎo)帶差ΔEc11＞70meV，第二價帶差ΔEv21＞240meV，第一價帶差ΔEv11和第二導(dǎo)帶差ΔEc21均小于或等于0meV。該外延結(jié)構(gòu)可以很好的平衡對電子和空穴的限制作用，使得外延結(jié)構(gòu)對于載流子的限制能力最佳，提升器件的輸出效率。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體激光器的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體激光器的外延結(jié)構(gòu)，包括：自下而上層疊設(shè)置的第一波導(dǎo)層，第一阻擋層，第一勢壘層，量子阱層，第二勢壘層，第二阻擋層，第二波導(dǎo)層，其特征在于： 所述第二阻擋層和所述第二勢壘層之間的第一導(dǎo)帶差ΔEc11＞70meV，所述第一阻擋層和所述第一勢壘層之間的第二價帶差ΔEv21＞240meV，所述第二阻擋層和所述第二波導(dǎo)層之間的第一價帶差ΔEv11=ameV，以及所述第一阻擋層和所述第一波導(dǎo)層之間的第二導(dǎo)帶差ΔEc21=bmeV，其中，a≤0，b≤0； 所述第一波導(dǎo)層為Alx2Ga1-x2As，0.2≤x2≤0.4； 所述第一阻擋層為Gax3In1-x3P，x3≥0.55； 所述第一勢壘層為Alx4Ga1-x4As，0.05≤x4≤0.20； 所述第二勢壘層為Alx6Ga1-x6As，0.05≤x6≤0.20； 所述第二阻擋層為Alx7Gay7In1-x7-y7As，1-x7-y7＜0.2，0.25≤x7≤0.45； 所述第二波導(dǎo)層為Alx8Ga1-x8As，0.20≤x8≤0.30。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人度亙核芯光電技術(shù)(蘇州)股份有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市中國(江蘇)自由貿(mào)易試驗區(qū)蘇州片區(qū)蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號東北區(qū)32幢；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。