華芯程(杭州)科技有限公司請求不公布姓名獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華芯程(杭州)科技有限公司申請的專利一種掩膜工藝和光學鄰近聯合校正方法、裝置及設備獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120147201B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510631829.X,技術領域涉及:G06T5/80;該發明授權一種掩膜工藝和光學鄰近聯合校正方法、裝置及設備是由請求不公布姓名設計研發完成,并于2025-05-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種掩膜工藝和光學鄰近聯合校正方法、裝置及設備在說明書摘要公布了:本發明涉及半導體加工領域,特別是涉及一種掩膜工藝和光學鄰近聯合校正方法、裝置及設備,通過接收目標圖案;將所述目標圖案輸入預訓練的聯合校正模型,使所述聯合校正模型將所述目標圖案作為初始的當前掩膜圖案,并對所述當前掩膜圖案中的光學鄰近校正目標圖形的邊緣進行切分,得到多個邊緣段,再根據預設的掩膜圖像密度函數、所述掩膜圖像密度函數對應的第一線性系數、預設的光刻膠圖像項及所述光刻膠圖像項對應的第二線性系數對所述邊緣段的位置進行迭代調整,直至所述當前掩膜圖案的全部的邊緣段的邊緣放置誤差小于預設的合格閾值;輸出邊緣段的邊緣放置誤差小于預設的合格閾值的當前掩膜圖案作為校正掩膜圖案。本發明縮減了工藝周期和成本。
本發明授權一種掩膜工藝和光學鄰近聯合校正方法、裝置及設備在權利要求書中公布了:1.一種掩膜工藝和光學鄰近聯合校正方法,其特征在于,包括: 接收目標圖案,所述目標圖案包括光學鄰近校正目標圖形及亞分辨率輔助圖形; 將所述目標圖案輸入預訓練的聯合校正模型,使所述聯合校正模型將所述目標圖案作為初始的當前掩膜圖案,并對所述當前掩膜圖案中的光學鄰近校正目標圖形的邊緣進行切分,得到多個邊緣段,再根據預設的掩膜圖像密度函數、所述掩膜圖像密度函數對應的第一線性系數、預設的光刻膠圖像項及所述光刻膠圖像項對應的第二線性系數對所述邊緣段的位置進行迭代調整,直至所述當前掩膜圖案的全部的邊緣段的邊緣放置誤差小于預設的合格閾值;其中,所述聯合校正模型能通過所述掩膜圖像密度函數及所述第一線性系數,從所述當前掩膜圖案得到對應的生產模擬圖案;并能根據所述生產模擬圖案確定對應的光學強度分布;且能通過所述光刻膠圖像項及所述第二線性系數,從所述光學強度分布得到對應的光刻膠圖像; 輸出全部的邊緣段的邊緣放置誤差小于預設的合格閾值的當前掩膜圖案作為校正掩膜圖案。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人華芯程(杭州)科技有限公司,其通訊地址為:311113 浙江省杭州市余杭區良渚街道網周路99號1幢22層2208室;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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