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龍圖騰網(wǎng)獲悉廣立微(上海)技術(shù)有限公司申請的專利柵氧化層電性厚度監(jiān)測結(jié)構(gòu)、方法、裝置和計(jì)算機(jī)設(shè)備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120237127B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510726266.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/544；該發(fā)明授權(quán)柵氧化層電性厚度監(jiān)測結(jié)構(gòu)、方法、裝置和計(jì)算機(jī)設(shè)備是由牛艷寧;繆仁杰;葉海濤;陳鑫;孫自旺設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-06-03向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本柵氧化層電性厚度監(jiān)測結(jié)構(gòu)、方法、裝置和計(jì)算機(jī)設(shè)備在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┮环N柵氧化層電性厚度監(jiān)測結(jié)構(gòu)、方法、裝置和計(jì)算機(jī)設(shè)備，結(jié)構(gòu)包括：間隔布置的第一MOS結(jié)構(gòu)和第二MOS結(jié)構(gòu)，其中，第一MOS結(jié)構(gòu)中，源漏區(qū)域上方形成第一極板，溝道區(qū)域上方形成第二極板，第二極板上的柵極與源漏區(qū)域具有第一重疊區(qū)域；第二MOS結(jié)構(gòu)中，源漏區(qū)域上方形成第三極板，溝道區(qū)域上方形成第四極板，第四極板上的柵極與源漏區(qū)域具有第二重疊區(qū)域；沿溝道方向上，第一極板上任一點(diǎn)與第二極板之間的距離，與第三極板上對應(yīng)點(diǎn)與第四極板之間的距離相同，第一重疊區(qū)域與第二重疊區(qū)域的面積相同，第二極板上的柵極區(qū)域與第四極板上的柵極區(qū)域相比，柵極寬度相同且柵極長度不同。通過本申請，可以計(jì)算得到精確的柵氧化層電性厚度。

本發(fā)明授權(quán)柵氧化層電性厚度監(jiān)測結(jié)構(gòu)、方法、裝置和計(jì)算機(jī)設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種柵氧化層電性厚度監(jiān)測結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：間隔布置的第一MOS結(jié)構(gòu)和第二MOS結(jié)構(gòu)，其中， 所述第一MOS結(jié)構(gòu)中，源漏區(qū)域上方形成第一極板，溝道區(qū)域上方形成第二極板，所述第二極板上的柵極與所述源漏區(qū)域具有第一重疊區(qū)域； 所述第二MOS結(jié)構(gòu)中，源漏區(qū)域上方形成第三極板，溝道區(qū)域上方形成第四極板，所述第四極板上的柵極與所述源漏區(qū)域具有第二重疊區(qū)域； 沿溝道方向上，所述第一極板上任一點(diǎn)與所述第二極板之間的距離，與所述第三極板上對應(yīng)點(diǎn)與所述第四極板之間的距離相同，所述第一重疊區(qū)域與所述第二重疊區(qū)域的面積相同，所述第二極板上的柵極區(qū)域與所述第四極板上的柵極區(qū)域相比，柵極寬度相同且柵極長度不同；所述第一MOS結(jié)構(gòu)中柵極上方接觸孔的數(shù)量大于所述第二MOS結(jié)構(gòu)中柵極上方接觸孔的數(shù)量。

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