天水天光半導體有限責任公司莊立強獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉天水天光半導體有限責任公司申請的專利ER193型雙差分比較器電路的制造方法及裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120358791B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510822101.5，技術領域涉及：H10D84/01；該發明授權ER193型雙差分比較器電路的制造方法及裝置是由莊立強;王永功;王軼軍;陳鑫;張翔;趙海紅;任杰;劉云潔;馬美玲;朱敏設計研發完成，并于2025-06-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本ER193型雙差分比較器電路的制造方法及裝置在說明書摘要公布了：本發明提供一種ER193型雙差分比較器電路的制造方法及裝置，屬于半導體制造技術領域，本發明實施例的ER193型雙差分比較器電路的制造方法，通過調整晶圓的隔離光刻位置，確保在上隔離光刻過程中以校正外延層漂移，即使外延層發生漂移，光刻圖案依然能夠精確地在晶圓上形成，避免因對位誤差導致電路功能不良或不一致的電氣性能。
本發明授權ER193型雙差分比較器電路的制造方法及裝置在權利要求書中公布了：1.一種ER193型雙差分比較器電路的制造方法，其特征在于，包括： 在晶圓進行下隔離處理后，確定對晶圓進行表面氧化層去除； 確定所述晶圓形成外延層并對所述晶圓進行上隔離氧化； 在進行上隔離光刻時，確定調整晶圓的隔離光刻位置以校正外延層漂移，包括：在進行上隔離光刻的光刻機的對位參數為可調狀態的情況下，基于所述晶圓上外延層的漂移方向和大小，調整光刻機的對位參數，光刻機的對位系統相應地調整對位標志的位置，使得光刻圖案與晶圓上的現有結構重新對準，在進行上隔離光刻的光刻機的對位參數為不可調狀態的情況下，基于所述晶圓上外延層的漂移方向和大小，確定用于上隔離光刻的版圖中刻蝕隔離區的刻蝕標記朝目標偏移方向偏離目標偏移量，使得在刻蝕過程中，刻蝕標記能夠與外延層的實際位置對準，確保最終刻蝕出的隔離區位置正確； 確定對校正外延層漂移后的晶圓進行預擴散和再擴散，以在所述晶圓上得到目標電路。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人天水天光半導體有限責任公司，其通訊地址為：741001 甘肅省天水市秦州區環城西路7號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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