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龍圖騰網獲悉華為技術有限公司申請的專利存儲器及信號處理方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110415748B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201810399279.3，技術領域涉及：G11C11/419；該發明授權存儲器及信號處理方法是由季秉武;趙坦夫;周云明;樊敏;李志彥;王云鵬設計研發完成，并于2018-04-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本存儲器及信號處理方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種存儲器及信號處理方法。該存儲器包括：鎖存電路、譯碼電路、存儲陣列、讀電路和寫電路。其中，存儲陣列包括M行N列位單元，每1個位單元用于存儲1比特數據，位單元包括第一端口和第二端口；鎖存電路用于接收第一地址、第二地址；譯碼電路用于根據第一地址確定第一位單元、根據第二地址確定第二位單元；寫電路用于接收數據，并通過第一位單元的第一端口向第一位單元寫入數據；讀電路用于通過第一位單元的第一端口讀出第一位單元存儲的數據，還用于通過第二位單元的第二端口讀出第二位單元存儲的數據。實施本申請，能夠實現1R1RW功能。

本發明授權存儲器及信號處理方法在權利要求書中公布了：1.一種存儲器，其特征在于，包括：鎖存電路、譯碼電路、存儲陣列、讀電路和寫電路，所述鎖存電路連接所述譯碼電路，所述存儲陣列連接所述譯碼電路、所述讀電路和所述寫電路，所述讀電路包括：第一靈敏放大器和第二靈敏放大器，所述第一靈敏放大器為SA，所述第二靈敏放大器為ASA，其中， 所述存儲陣列包括M行N列位單元，每1個位單元用于存儲1比特數據，所述位單元包括第一端口和第二端口； 所述存儲陣列第i行第j列的位單元包括8個MOS管M1-M8，M1、M3、M5、M6、M7和M8為N-MOS管，M2和M4為P-MOS管，其中， M2的源極和M4的源極連接高電平，M1的源極和M3的源極接低電平； M6的源極、M2的柵極、M1的柵極、M4的漏極和M3的漏極連接； M5的源極、M4的柵極、M3的柵極、M2的漏極和M1的漏極連接； M5的柵極和M6的柵極連接第j根讀寫字線；M5的漏極連接第i根正位線，M6的漏極連接第i根反位線；M8的柵極連接第j根讀字線，M8的漏極連接第i根讀位線； M8的源極和M7的漏極連接，M7的源極接低電平； 其中，所述第一靈敏放大器的第一輸入端連接所述第i根正位線，第二輸入端連接所述第i根反位線； 其中，所述第二靈敏放大器的輸入端連接所述第i根讀位線； 其中，1≤i≤M，1≤j≤N，i、j為正整數；所述第i根正位線、所述第i根反位線和所述第j根讀寫字線構成所述第一端口，所述第i根讀位線和所述第j根讀字線構成所述第二端口； 所述鎖存電路用于接收第一地址、第二地址； 所述譯碼電路用于根據所述第一地址在M*N個位單元中確定第一位單元，還用于根據所述第二地址在所述M*N個位單元中確定第二位單元； 所述寫電路用于接收數據，并通過所述第一位單元的第一端口，向所述第一位單元寫入接收到的所述數據； 所述讀電路用于通過所述第一靈敏放大器，對所述第一輸入端和所述第二輸入端接收到的電壓的差值進行放大處理后，通過所述第一靈敏放大器的輸出端輸出，所述讀電路還用于通過所述第二靈敏放大器，對所述第二靈敏放大器的輸入端接收到的電壓進行放大處理后，通過所述第二靈敏放大器的輸出端輸出。

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