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龍圖騰網(wǎng)獲悉江蘇芯德半導(dǎo)體科技股份有限公司申請的專利QFN引線框架及其制備方法和QFN封裝結(jié)構(gòu)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120376423B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510845712.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/48；該發(fā)明授權(quán)QFN引線框架及其制備方法和QFN封裝結(jié)構(gòu)是由張灝杰;周進(jìn)普;章志明;劉穎設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-06-24向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本QFN引線框架及其制備方法和QFN封裝結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種QFN引線框架及其制備方法和QFN封裝結(jié)構(gòu)，采用蝕刻和沖壓相結(jié)合的工藝制作QFN引線框架，通過沖壓方式對內(nèi)引腳和基島進(jìn)行沖壓，使其低于外引腳，呈臺階狀，為新型的QFN封裝結(jié)構(gòu)提供了一種支撐框架；不僅提高了生產(chǎn)效率，還降低了生產(chǎn)成本，為大規(guī)模生產(chǎn)提供了可能性。QFN封裝結(jié)構(gòu)采用上下雙層引腳結(jié)構(gòu)的引線框架，打破了傳統(tǒng)封裝焊接點(diǎn)位僅在同一平面的限制，有效增加了芯片內(nèi)部布線空間與焊點(diǎn)分布空間，提高了封裝結(jié)構(gòu)的集成度。本發(fā)明中引線框架的結(jié)構(gòu)設(shè)計，增加了芯片的散熱面積，尤其是通過設(shè)置上下兩層引腳結(jié)構(gòu)，形成了多層次的散熱網(wǎng)絡(luò)，大幅提高了散熱效率，有效滿足了大尺寸芯片封裝結(jié)構(gòu)的散熱需求。

本發(fā)明授權(quán)QFN引線框架及其制備方法和QFN封裝結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.QFN引線框架的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟： S1、提供高強(qiáng)度金屬基材，采用化學(xué)蝕刻工藝在金屬基材正面形成基島和多圈引腳，多圈引腳圍設(shè)在基島周側(cè)，多圈引腳包括一圈內(nèi)引腳和至少一圈外引腳，內(nèi)引腳離基島最近； S2、對金屬基材進(jìn)行沖壓，形成獨(dú)立的QFN引線框架；在沖壓工藝中，自QFN引線框架正面向背面方向?qū)⒒鶏u和內(nèi)引腳區(qū)域向下沖壓，使得QFN引線框架具有階梯結(jié)構(gòu)； 其中，基島和內(nèi)引腳表面在同一平面，基島、內(nèi)引腳表面與外引腳表面不在同一平面，且外引腳表面高于基島和內(nèi)引腳表面； 所述基島用于貼裝半導(dǎo)體芯片，半導(dǎo)體芯片與內(nèi)引腳、外引腳通過引線電性連接后；對半導(dǎo)體芯片和引線進(jìn)行塑封形成塑封部，形成具有階梯結(jié)構(gòu)的QFN封裝結(jié)構(gòu)； 所述內(nèi)引腳和外引腳形成上下兩層引腳結(jié)構(gòu)，增加了半導(dǎo)體芯片內(nèi)部布線空間與焊點(diǎn)分布空間，也形成了多層次的散熱網(wǎng)絡(luò)。

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