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龍圖騰網獲悉深圳辰達半導體有限公司申請的專利一種高熱導性和寬工作溫度范圍的SiC MOS管的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120356834B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510850272.9，技術領域涉及：H01L21/56；該發明授權一種高熱導性和寬工作溫度范圍的SiC MOS管的制備方法是由馬奕俊;馬奕勉設計研發完成，并于2025-06-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種高熱導性和寬工作溫度范圍的SiC MOS管的制備方法在說明書摘要公布了：一種高熱導性和寬工作溫度范圍的SiCMOS管及其制備方法，涉及半導體器件技術領域；包括以下步驟：將碳化硅晶片通過RCA標準清洗法進行清洗并干燥；然后通過低壓化學氣相沉積法在＜600℃條件下于清洗并干燥后的碳化硅表面沉積非晶硅膜，得到預處理碳化硅晶片；在700?800℃干氧環境下對預處理的碳化硅晶片上的非晶硅膜進行氧化，然后在1100?1200℃氮氣氛圍下進行一次退火，然后在表面旋涂硼擴散層，在900?1150℃條件下進行二次退火處理10min；通過機械剝離法將單層六方氮化硼通過亞克力有機玻璃轉移至二次退火后的晶片表面，然后進行三次退火處理后進行電極成型處理；通過低溫氧化的方式避免了出現碳殘留的情況，然后通過氮氣和硼元素協同鈍化的方式提升溝道遷移率。

本發明授權一種高熱導性和寬工作溫度范圍的SiC MOS管的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種高熱導性和寬工作溫度范圍的SiCMOS管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 將碳化硅晶片通過RCA標準清洗法進行清洗并干燥；然后通過低壓化學氣相沉積法在＜600℃條件下于清洗并干燥后的碳化硅表面沉積非晶硅膜，得到預處理碳化硅晶片； 在700-800℃干氧環境下對預處理的碳化硅晶片上的非晶硅膜進行氧化，然后在1100-1200℃氮氣氛圍下進行一次退火，然后在表面旋涂硼擴散層，在900-1150℃條件下進行二次退火處理10min； 通過機械剝離法將單層六方氮化硼通過亞克力有機玻璃轉移至二次退火后的晶片表面，然后進行三次退火處理后進行電極成型處理； 還包括界面鍵合處理步驟： 將晶片置于等離子體腔室，然后通入氬氣和氧氣的混合氣體，施加射頻功率激發等離子體，對六方氮化硼表面進行定向轟擊，然后進行三次退火處理； 其中，所述硼擴散層為硼硅玻璃，所述硼擴散層的厚度為100nm，所述硼擴散層中硼原子的占比為5-20at%； 所述二次退火處理在惰性氣體氛圍1000-1100℃條件下進行退火處理10min。

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