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龍圖騰網獲悉江蘇鑫華半導體科技股份有限公司申請的專利基于硅芯棒生長特征的多晶硅沉積進氣裝置及控制方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120383316B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510884885.4，技術領域涉及：C01B33/035；該發明授權基于硅芯棒生長特征的多晶硅沉積進氣裝置及控制方法是由田新;王付剛;吳鋒;徐玲鋒設計研發完成，并于2025-06-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于硅芯棒生長特征的多晶硅沉積進氣裝置及控制方法在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體或太陽能產業的主原料使用的多晶硅沉積技術領域，尤其涉及基于硅芯棒生長特征的多晶硅沉積進氣裝置及控制方法，該控制方法包括基于第一預設時長內的硅芯棒的表面溫度分布均勻程度和或第二預設時長內硅芯棒的生長均勻程度確定獲取硅芯棒的生長異常區域數據和硅芯棒的整體生長速率數據；基于存在未重疊區域的生長異常區域與空間拼接后的生長異常區域是否覆蓋所述硅芯棒一周，以及硅芯棒的整體生長速率與預設整體生長速率的比對結果確定以局部控制方法控制進氣或以整體控制方法控制進氣；本發明通過提高對硅芯棒生長特征分析的精準性進而提高對進氣裝置控制的精準性。

本發明授權基于硅芯棒生長特征的多晶硅沉積進氣裝置及控制方法在權利要求書中公布了：1.一種基于硅芯棒生長特征的多晶硅沉積進氣裝置控制方法，其特征在于，包括： 獲取沉積過程中硅芯棒的表面溫度數據、硅芯棒的生長數據以及進氣裝置的進氣數據； 基于第一預設時長內的硅芯棒的表面溫度分布均勻程度和或第二預設時長內硅芯棒的生長均勻程度確定獲取硅芯棒的生長異常區域數據和硅芯棒的整體生長速率數據； 計算第一預設時長內硅芯棒的表面溫度分布均勻程度包括： 沿著硅芯棒的軸向等間距選取若干個截面，并在每個截面上以圓周方向等角度選取多個點作為溫度監測點； 獲取第一預設時長內實時采集到的每個監測點的溫度數據，并記錄每個時刻各點的溫度值，形成一個時間序列的溫度數據集； 計算第一預設時長內硅芯棒表面的平均溫度，并計算每個監測點的溫度值與平均溫度的偏差； 計算所有監測點溫度偏差的標準差得到第一預設時長內硅芯棒的表面溫度分布均勻程度； 計算第二預設時長內硅芯棒的生長均勻程度包括： 沿著硅芯棒的軸向等間距選取若干個截面，并在每個截面上以圓周方向等角度選取多個點作為生長均勻程度監測點； 在第二預設時長內定期測量每個監測點處硅芯棒的生長參數，并記錄每個時刻各點的生長數據，形成生長數據的時間序列； 對第二預設時長內所有監測點的生長數據進行處理，計算出該時長內硅芯棒表面的直徑變化率； 計算每個監測點的直徑變化率與平均直徑變化率的偏差； 計算所有監測點直徑變化率偏差的標準差得到第二預設時長內硅芯棒的生長均勻程度； 基于所述生長異常區域是否存在未重疊區域確定是否將所述生長異常區域進行空間拼接； 確定是否將所述生長異常區域進行空間拼接包括： 若生長異常區域存在未重疊區域，確定需要將所述生長異常區域進行空間拼接； 若生長異常區域不存在未重疊區域，確定不需將所述生長異常區域進行空間拼接； 基于存在未重疊區域的生長異常區域與空間拼接后的生長異常區域的覆蓋范圍，以及硅芯棒的整體生長速率與預設整體生長速率的比對結果確定以局部控制方法控制進氣或以整體控制方法控制進氣； 基于局部生長異常區域是否存在沖突異常特征確定調整所述局部生長異常區域對應進氣裝置的進氣流量或進氣角度，或基于整體生長區域的異常特征的一致程度確定調整整體進氣裝置的分布位置或分布間距。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江蘇鑫華半導體科技股份有限公司，其通訊地址為：221000 江蘇省徐州市徐州經濟技術開發區楊山路66號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。