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龍圖騰網(wǎng)獲悉華中科技大學(xué)申請的專利一種異質(zhì)集成的感存算一體結(jié)構(gòu)及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120435084B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：202510929546.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F39/18；該發(fā)明授權(quán)一種異質(zhì)集成的感存算一體結(jié)構(gòu)及其制備方法是由葉鐳;楊高琛;童磊;馬辰龍;呂晟杰;徐浪浪;彭追日;繆向水設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-07-07向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種異質(zhì)集成的感存算一體結(jié)構(gòu)及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開了一種異質(zhì)集成的感存算一體結(jié)構(gòu)及其制備方法，制備方法包括：在構(gòu)建PN結(jié)之前形成隔離區(qū)，再通過隔離區(qū)標(biāo)記出PN結(jié)的有源區(qū)，并通過刻蝕、注入工藝制作橫向光電二極管并留出隔離墻，便于后續(xù)套刻金屬電極對準(zhǔn)；同時(shí)制備相變薄膜電阻和相變存儲(chǔ)器；再采用晶圓鍵合互聯(lián)包含后端邏輯電路的晶圓；再進(jìn)行背面硅翻轉(zhuǎn)減薄，沉積一層納米金屬顆粒和鈍化層，利用納米金屬顆粒提升感光波段范圍，鈍化層降低界面表面態(tài)密度，從而降低暗電流。在本發(fā)明中，一方面引入相變存儲(chǔ)器以降低傳感器數(shù)據(jù)流處理的功耗與延遲，同時(shí)還對工藝和晶圓結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，提升結(jié)構(gòu)性能，降低工藝難度。

本發(fā)明授權(quán)一種異質(zhì)集成的感存算一體結(jié)構(gòu)及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種異質(zhì)集成的感存算一體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括： 在襯底上刻蝕出隔離槽，在所述隔離槽的側(cè)壁和所述襯底的上表面沉積第一鈍化層后，再沉積多晶硅直至所述隔離槽內(nèi)的多晶硅的高度超過所述第一鈍化層的上表面，磨平所述多晶硅，隔離槽內(nèi)的結(jié)構(gòu)形成隔離區(qū)； 以所述隔離區(qū)為套刻標(biāo)記，在相鄰隔離區(qū)之間暴露出襯底并開設(shè)相鄰的第一溝槽和第二溝槽，所述第一溝槽和第二溝槽之間存在隔離墻，通過第一溝槽向襯底注入第一導(dǎo)電類型材料，通過第二溝槽向襯底注入第二導(dǎo)電類型材料，兩種材料的其中一個(gè)形成P型區(qū)、另一個(gè)形成N型區(qū)，退火使P型區(qū)和N型區(qū)離子擴(kuò)散形成PN結(jié)； 以所述隔離區(qū)和所述隔離墻為套刻標(biāo)記，在所述P型區(qū)和所述N型區(qū)上對應(yīng)形成P區(qū)第一電極和N區(qū)第一電極； 在形成第一電極的一側(cè)沉積介質(zhì)層，同步形成相變材料組，所述相變材料組包括三個(gè)平行的相變材料結(jié)構(gòu)，各相變材料結(jié)構(gòu)的一端貫穿所述介質(zhì)層直至與N區(qū)第一電極電連接，另一端上分別設(shè)置第一鍵合電極；形成貫穿所述介質(zhì)層并與P區(qū)第一電極電連接的第二鍵合電極；得到第一晶圓組件； 將所述第一晶圓組件具有鍵合電極的正面與第二晶圓組件鍵合，以使所述第一晶圓組件中的鍵合電極與所述第二晶圓組件中的控制電路連接； 對所述第一晶圓組件的背面進(jìn)行減薄至暴露出所述P型區(qū)和所述N型區(qū)后依次形成納米金屬顆粒量子點(diǎn)層和第二鈍化層； 通過控制電路向相變材料組中的其中一個(gè)相變材料結(jié)構(gòu)施加電壓使其發(fā)生硬擊穿形成電阻，另外兩個(gè)相變材料結(jié)構(gòu)作為相變存儲(chǔ)器。

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