朗姆研究公司丹尼爾·彼得獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉朗姆研究公司申請的專利用于納米線的選擇性蝕刻獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112470258B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980048517.9，技術領域涉及：H01L21/3065；該發明授權用于納米線的選擇性蝕刻是由丹尼爾·彼得;薛君;薩曼莎·西亞姆華·坦;潘陽;李英熙;亞歷山大·卡班斯凱設計研發完成，并于2019-07-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于納米線的選擇性蝕刻在說明書摘要公布了：提供了一種在堆疊件中相對于硅選擇性地蝕刻硅鍺的方法，該堆疊件位于蝕刻室中的卡盤上。將該卡盤維持在15℃以下的溫度。將該堆疊件暴露于包含含氟氣體的蝕刻氣體，以相對于硅選擇性地蝕刻硅鍺。
本發明授權用于納米線的選擇性蝕刻在權利要求書中公布了：1.一種通過在蝕刻室中的卡盤上的堆疊件中相對于硅選擇性地蝕刻硅鍺來形成硅納米線的方法，其中所述堆疊件包括第一硅層、第二硅層以及分隔所述第一硅層和所述第二硅層的硅鍺層，所述方法包含： 使所述卡盤維持在0℃或更低的溫度以增加相對于所述硅蝕刻所述硅鍺的選擇性； 將所述堆疊件暴露于包含含氟氣體的蝕刻氣體，以相對于硅而選擇性地蝕刻硅鍺，其中從所述第一硅層和所述第二硅層之間去除所述硅鍺層，以在所述第一硅層和所述第二硅層之間形成間隙以將所述第一硅層和所述第二硅層形成硅納米線；以及 在所述蝕刻室中將所述堆疊件暴露于所述蝕刻氣體之后，使用原子層沉積，在所述堆疊件上沉積含有SiO2、SiN或SiC的層，其中所述含有SiO2、SiN或SiC的層圍繞所述硅納米線。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號