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龍圖騰網獲悉廣東匯芯半導體有限公司申請的專利一種集成開關電源的智能功率模塊獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111969879B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010763469.6，技術領域涉及：H02M7/5387；該發明授權一種集成開關電源的智能功率模塊是由馮鍇雄;楊忠添設計研發完成，并于2020-07-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種集成開關電源的智能功率模塊在說明書摘要公布了：本申請提供一種集成開關電源的智能功率模塊，包括：一HVIC芯片，其包括VSS端口、高側輸出端口以及低側輸出端口，高側輸出端口僅有HO1端口以及HO2端口，低側輸出端口僅有LO1端口以及LO2端口；一逆變器單元，逆變器單元僅有第一三極晶體管、第二三極晶體管、第三三極晶體管以及第四三極晶體管；一開關電源，其包括功率MOS管以及控制電路；功率MOS管的柵極與控制電路連接，其漏極連接于P點，其源極與VSS端口連接。

本發明授權一種集成開關電源的智能功率模塊在權利要求書中公布了：1.一種集成開關電源的智能功率模塊，其特征在于，包括： 一HVIC芯片，其包括VSS端口、高側輸出端口以及低側輸出端口，所述高側輸出端口僅有HO1端口以及HO2端口，所述低側輸出端口僅有LO1端口以及LO2端口； 一逆變器單元，所述逆變器單元僅有第一三極晶體管、第二三極晶體管、第三三極晶體管以及第四三極晶體管； 所述第一三極晶體管，其柵極與所述HO1端口連接，其漏極連接于P點，其源極連接于A點； 所述第二三極晶體管，其柵極與所述LO1端口連接，其漏極與所述第一三極晶體管的源極連接，其源極與所述HVIC芯片的VSS端口連接； 所述第三三極晶體管，其柵極與所述HO2端口連接，其漏極與所述第一三極晶體管的漏極連接，其源極連接于B點； 所述第四三極晶體管，其柵極與所述LO2端口連接，其漏極與所述第三三極晶體管的源極連接，其源極與所述第二三極晶體管的源極連接； 一開關電源，其包括功率MOS管以及控制電路；所述功率MOS管的柵極與控制電路連接，其漏極連接于P點，其源極與所述VSS端口連接；所述控制電路設置于所述HVIC芯片內部；所述功率MOS管為橫向擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管或垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管； 當所述功率MOS管為橫向擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管時，所述橫向擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管設置于所述HVIC芯片的內部； 當所述功率MOS管為垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管時，所述垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管設置于所述HVIC芯片的外部； 所述控制電路包括電流檢測控制電路、邏輯電路、驅動電路以及可變振蕩器，所述HVIC芯片還包括CONTROL端口、MODE端口以及FREQUENCY端口； 所述電流檢測控制電路和所述可變振蕩器均與所述邏輯電路連接，且所述電流檢測控制電路連接于所述CONTROL端口，所述可變振蕩器連接于所述FREQUENCY端口；所述驅動電路的輸入端與所述邏輯電路連接，所述驅動電路的輸出端與所述功率MOS管的柵極連接；所述邏輯電路連接于所述MODE端口。

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