東京毅力科創株式會社福井祥吾獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉東京毅力科創株式會社申請的專利基片處理裝置的清洗方法和基片處理系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112490143B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010909578.4，技術領域涉及：H01L21/67；該發明授權基片處理裝置的清洗方法和基片處理系統是由福井祥吾;黃柏翰設計研發完成，并于2020-09-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本基片處理裝置的清洗方法和基片處理系統在說明書摘要公布了：本發明提供基片處理裝置的清洗方法和基片處理系統。基片處理裝置的清洗方法中，上述基片處理裝置能夠進行干燥處理，上述干燥處理使表面被液體潤濕的狀態的基片與超臨界流體接觸以使上述基片干燥，上述基片處理裝置的清洗方法包括：使清洗用流體在上述基片處理裝置的內部擴散的步驟，上述清洗用流體是將上述超臨界流體與包含極性分子的、沸點比上述液體低的溶劑混合而成的；以及在上述清洗用流體擴散后，從上述基片處理裝置的內部排出上述清洗用流體的步驟。本發明能夠抑制在使用超臨界流體的干燥處理時顆粒附著到基片。
本發明授權基片處理裝置的清洗方法和基片處理系統在權利要求書中公布了：1.一種基片處理裝置的清洗方法，所述基片處理裝置能夠進行干燥處理，所述干燥處理使表面被液體潤濕的狀態的基片與超臨界流體接觸以使所述基片干燥， 所述基片處理裝置的清洗方法特征在于，包括： 使清洗用流體在所述基片處理裝置的內部擴散的步驟，所述清洗用流體是將所述超臨界流體與包含極性分子的、沸點比所述液體低的溶劑混合而成的；以及 在所述清洗用流體擴散后，從所述基片處理裝置的內部排出所述清洗用流體的步驟， 所述液體包含極性分子，所述超臨界流體包含非極性分子。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人東京毅力科創株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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