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龍圖騰網(wǎng)獲悉金俊成申請的專利含有硫?qū)倩衔锏拇鎯ζ鲉卧慕M分、其結(jié)構(gòu)、其制造方法及其操作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114730835B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202080078617.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11C5/14；該發(fā)明授權(quán)含有硫?qū)倩衔锏拇鎯ζ鲉卧慕M分、其結(jié)構(gòu)、其制造方法及其操作方法是由金俊成;李承桓;尹相勛設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-11-13向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本含有硫?qū)倩衔锏拇鎯ζ鲉卧慕M分、其結(jié)構(gòu)、其制造方法及其操作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明的目的是與包括硫?qū)倩衔锏拇鎯ζ髟嚓P(guān)地提供一種用于存儲器元件的穩(wěn)定操作的組分、適用于該組分的存儲器結(jié)構(gòu)、用于制造其的方法以及用于操作其的方法。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明可以提供一種具有交叉點結(jié)構(gòu)的存儲器陣列，該存儲器陣列包括：彼此相交的第一電極線和第二電極線；以及由硫?qū)倩衔镄纬傻倪x擇存儲器元件，其被設(shè)置在第一電極線和第二電極線的每個相交點處。第一電極線形成在基板上。第一功能電極可以形成在第一電極線與選擇存儲器元件之間。第二功能電極可以形成在第二電極線與選擇存儲器元件之間。第一功能電極可以被形成為沿著第一電極線的線。

本發(fā)明授權(quán)含有硫?qū)倩衔锏拇鎯ζ鲉卧慕M分、其結(jié)構(gòu)、其制造方法及其操作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種對包括作為硫?qū)倩衔锏膬啥俗舆x擇器或選擇存儲器的存儲器單元進行初始化的方法，所述方法包括以下步驟： a向所述存儲器單元施加初始化電壓； b確定所述存儲器單元是否導(dǎo)通；以及 c當(dāng)所述存儲器單元導(dǎo)通時，終止所述初始化，并且當(dāng)所述存儲器單元未導(dǎo)通時，增大初始化電壓并且重復(fù)步驟a和步驟b，其中，當(dāng)增大的初始化電壓超過第一電壓時，終止所述初始化， 其中，首先從所述初始化電壓施加的第一初始化電壓小于或等于漂移前處于置位狀態(tài)的存儲器單元的最大閾值電壓，并且 所述第一電壓在漂移讀取窗口范圍內(nèi)，所述漂移讀取窗口范圍是所述漂移后預(yù)期的處于復(fù)位狀態(tài)的存儲器單元的最小閾值電壓與所述漂移后預(yù)期的處于所述置位狀態(tài)的所述存儲器單元的所述最大閾值電壓之間的電壓范圍。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人金俊成，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。