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龍圖騰網(wǎng)獲悉富士電機(jī)株式會(huì)社申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體裝置及制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111146197B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201910897265.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/80；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及制造方法是由洼內(nèi)源宜;吉田崇一設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-09-23向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體裝置及制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置及制造方法，在半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選抑制溫度傳感器的特性變動(dòng)。半導(dǎo)體裝置具備：半導(dǎo)體基板，其設(shè)置有第一導(dǎo)電型的漂移區(qū)；晶體管部，其設(shè)置于半導(dǎo)體基板；二極管部，其設(shè)置于半導(dǎo)體基板；阱區(qū)，其在半導(dǎo)體基板的上表面露出的第二導(dǎo)電型；溫度檢測(cè)部，在俯視下其與二極管部相鄰且設(shè)置于阱區(qū)的上方；上表面?zhèn)葔勖刂茀^(qū)域，其在二極管部設(shè)置于半導(dǎo)體基板的上表面?zhèn)龋⑶以诟┮曄略O(shè)置在不與溫度檢測(cè)部重疊的區(qū)域。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備： 半導(dǎo)體基板，其設(shè)置有第一導(dǎo)電型的漂移區(qū)； 晶體管部，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板； 二極管部，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板； 第二導(dǎo)電型的阱區(qū)，其在所述半導(dǎo)體基板的上表面露出； 溫度檢測(cè)部，在俯視下其與所述二極管部相鄰，并且設(shè)置在所述阱區(qū)的上方；以及 上表面?zhèn)葔勖刂茀^(qū)域，其在所述二極管部設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板的上表面?zhèn)龋⑶以诟┮曄略O(shè)置在不與所述溫度檢測(cè)部重疊的區(qū)域， 在俯視下，所述溫度檢測(cè)部被夾在與其相鄰的所述二極管部之間，俯視下的整個(gè)所述二極管部配置有所述上表面?zhèn)葔勖刂茀^(qū)域， 所述二極管部具有第一導(dǎo)電型的陰極區(qū)，所述陰極區(qū)設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板的內(nèi)部，并且在所述半導(dǎo)體基板的下表面露出， 在俯視下，所述上表面?zhèn)葔勖刂茀^(qū)域的端部配置在所述陰極區(qū)與所述溫度檢測(cè)部之間。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人富士電機(jī)株式會(huì)社，其通訊地址為：日本神奈川縣川崎市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。