鎧俠股份有限公司本間荘一獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉鎧俠股份有限公司申請的專利半導體裝置及半導體裝置的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113921479B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110208824.8，技術領域涉及：H01L23/31；該發明授權半導體裝置及半導體裝置的制造方法是由本間荘一;右田達夫;三浦正幸;前田竹識;加藤和弘;山本進設計研發完成，并于2021-02-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置及半導體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：本案涉及一種半導體裝置及半導體裝置的制造方法。本實施方式的半導體裝置具備半導體芯片，該半導體芯片具有第1面及與該第1面相反之側的第2面，且在第1面上設置著半導體元件。柱狀電極設置在第1面的上方，且電連接于半導體元件的任一個。第1部件在第1面的上方，設置在柱狀電極的周邊。絕緣材料被覆柱狀電極及第1部件。第1部件比柱狀電極及絕緣材料硬。第1部件及柱狀電極從絕緣材料的表面露出。
本發明授權半導體裝置及半導體裝置的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，具備： 半導體芯片，具有第1面及與所述第1面相反之側的第2面，且在所述第1面側設置著半導體元件； 柱狀電極，在將從所述第2面朝向所述第1面的方向設為上方向時，設置在所述第1面的上方，且電連接于所述半導體元件的任一個； 第1部件，在所述第1面的上方，設置在所述柱狀電極的周邊；以及 第1絕緣材料，設置在所述柱狀電極及所述第1部件的周圍； 所述第1部件比所述柱狀電極及所述絕緣材料硬， 所述第1部件及所述柱狀電極從所述絕緣材料的上方向側的表面露出。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人鎧俠股份有限公司，其通訊地址為：日本東京；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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