華為技術有限公司張湘輝獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華為技術有限公司申請的專利一種集成電路、芯片及電子設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115117025B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110310515.1，技術領域涉及：H01L23/60；該發明授權一種集成電路、芯片及電子設備是由張湘輝;張譯;張亞文;吳磊;吳劍鋒;滕照宇;李挺釗;張彬彬;王強設計研發完成，并于2021-03-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種集成電路、芯片及電子設備在說明書摘要公布了：本申請實施例提供一種集成電路、芯片及電子設備，涉及微電子電路技術領域，可以改善因靜電放電導致的集成電路失效。集成電路，包括：襯底以及設置在襯底上的晶體管；晶體管的柵極與開關器件的第一端耦合，開關器件的第二端與接地端耦合；其中，開關器件被配置為在控制端接收的控制信號的控制下處于導通狀態或斷開狀態；開關器件在導通狀態將晶體管的柵極的靜電電壓傳輸至接地端；或者，開關器件在斷開狀態將晶體管的柵極與接地端斷路。
本發明授權一種集成電路、芯片及電子設備在權利要求書中公布了：1.一種集成電路，其特征在于，所述集成電路用于射頻模組，包括：襯底以及設置在所述襯底上的晶體管；所述晶體管的柵極與開關器件的第一端耦合，所述開關器件的第二端與接地端耦合；所述晶體管用于所述射頻模組的功率放大器PA； 其中，所述開關器件被配置為在控制端接收的控制信號的控制下處于導通狀態或斷開狀態；所述開關器件在導通狀態將所述晶體管的柵極的靜電電壓傳輸至所述接地端；或者，所述開關器件在斷開狀態將所述晶體管的柵極與所述接地端斷路； 所述晶體管包括HEMT，以及所述開關器件包括耗盡型HEMT，所述耗盡型HEMT的柵介質層與所述晶體管的柵介質層采用相同的材料，所述耗盡型HEMT的勢壘層與所述晶體管的勢壘層采用相同材料，并且所述耗盡型HEMT的柵介質層的厚度大于所述晶體管的柵介質層的厚度，所述耗盡型HEMT的勢壘層的厚度小于所述晶體管的勢壘層的厚度。
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