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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利反熔絲陣列結構及存儲器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115831918B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111093646.5，技術領域涉及：H01L23/525；該發明授權反熔絲陣列結構及存儲器是由池性洙設計研發完成，并于2021-09-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本反熔絲陣列結構及存儲器在說明書摘要公布了：本申請實施例涉及半導體電路設計領域，特別涉及一種反熔絲陣列結構及存儲器，包括：多個反熔絲集成結構，在位線延伸方向和字線延伸方向排列成反熔絲矩陣；反熔絲集成結構包括：共用有源區的第一反熔絲存儲MOS管、第一開關管、第二開關管和第二反熔絲存儲MOS管；第一開關管和第二開關管分別通過相鄰兩根字線控制，第一開關管和第二開關管的共用端與位線連接，第一反熔絲存儲MOS管和第二反熔絲存儲MOS管分別通過相鄰的編程導線控制，且在位線延伸方向上，編程導線還用于控制相鄰反熔絲集成結構。以實現相同容量的存儲陣列僅需占用更小的布局面積，從而在原有布局面積的基礎上，增大反熔絲存儲單元之間的間距。

本發明授權反熔絲陣列結構及存儲器在權利要求書中公布了：1.一種反熔絲陣列結構，其特征在于，包括： 多個反熔絲集成結構，在位線延伸方向和字線延伸方向排列成反熔絲矩陣，所述位線延伸方向和所述字線延伸方向相交； 每一反熔絲集成結構包括：沿有源區的延伸方向依次設置的第一反熔絲存儲MOS管、第一開關管、第二開關管和第二反熔絲存儲MOS管，且所述第一反熔絲存儲MOS管、所述第一開關管、所述第二開關管和所述第二反熔絲存儲MOS管共用所述有源區，所述有源區的延伸方向分別與所述位線的延伸方向和所述字線延伸方向相交； 所述第一開關管和第二開關管分別通過相鄰兩根字線控制，所述第一開關管和第二開關管的共用端與位線連接，所述第一反熔絲存儲MOS管和第二反熔絲存儲MOS管分別通過相鄰的編程導線控制，且在位線延伸方向上，所述編程導線還用于控制相鄰反熔絲集成結構； 所述有源區包括有源區主體，所述有源區主體的長度方向為所述有源區的延伸方向，在所述有源區的延伸方向上，所述有源區主體各處的寬度相同； 所述有源區還包括凸起部，所述凸起部設置在所述有源區主體的至少一側，在所述有源區的延伸方向上，所述凸起部的長度小于所述有源區主體的長度，且所述有源區中部寬度大于所述有源區兩端寬度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230601 安徽省合肥市經濟技術開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。