長鑫存儲技術有限公司郭帥獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利一種半導體結構、半導體結構的制作方法及存儲器獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115881668B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202111135789.8,技術領域涉及:H01L23/48;該發明授權一種半導體結構、半導體結構的制作方法及存儲器是由郭帥設計研發完成,并于2021-09-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體結構、半導體結構的制作方法及存儲器在說明書摘要公布了:本申請提供了一種半導體結構制作方法、半導體結構及存儲器,半導體結構:基底,上形成導電接觸孔,金屬硫化物層形成于在所述導電接觸孔內,并覆蓋所述導電接觸孔底壁;半金屬層形成于所述金屬硫化物層的表面;阻擋層覆蓋所述半金屬層的表面和所述導電接觸孔的側壁;導電接觸結構設置于所述阻擋層構成的容置孔內。
本發明授權一種半導體結構、半導體結構的制作方法及存儲器在權利要求書中公布了:1.一種半導體結構,其特征在于,包括: 基底,所述基底上形成導電接觸孔; 金屬硫化物層,所述金屬硫化物層形成于在所述導電接觸孔內,并覆蓋所述導電接觸孔底壁; 半金屬層,所述半金屬層形成于所述金屬硫化物層的表面半金屬層; 阻擋層,所述阻擋層覆蓋所述半金屬層的表面和所述導電接觸孔的側壁; 導電接觸結構,設置于所述阻擋層構成的容置孔內。
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