長江存儲科技有限責任公司蘇界獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長江存儲科技有限責任公司申請的專利三維存儲器及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114121979B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111245069.7，技術領域涉及：H10B41/35；該發明授權三維存儲器及其形成方法是由蘇界;鄭曉芬;張絲柳;王家成設計研發完成，并于2021-10-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本三維存儲器及其形成方法在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種三維存儲器及其形成方法。所述三維存儲器的形成方法包括如下步驟：形成基底，所述基底包括襯底、位于所述襯底上的堆疊結構、以及貫穿所述堆疊結構的柵極隔槽，所述堆疊結構包括交替堆疊的層間絕緣層和導電層，所述導電層還覆蓋所述柵極隔槽的側壁和底壁；于所述柵極隔槽內形成覆蓋所述導電層表面的介質層；對所述介質層進行改性處理，使得至少所述介質層底部的刻蝕速率大于所述介質層頂部的刻蝕速率；刻蝕掉改性后的所述介質層、以及至少位于所述柵極隔槽側壁和底壁上的所述導電層。本發明減少甚至是避免了所述導電層在所述柵極隔槽底部的殘留，改善了柵極之間發生漏電的現象。
本發明授權三維存儲器及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種三維存儲器的形成方法，其特征在于，包括如下步驟： 形成基底，所述基底包括襯底、位于所述襯底上的堆疊結構、以及貫穿所述堆疊結構的柵極隔槽，所述堆疊結構包括交替堆疊的層間絕緣層和導電層，所述導電層還覆蓋所述柵極隔槽的側壁和底壁； 于所述柵極隔槽內形成覆蓋所述導電層表面的介質層； 對所述介質層進行改性處理，使得至少所述介質層底部的刻蝕速率大于所述介質層頂部的刻蝕速率； 刻蝕掉改性后的所述介質層、以及至少位于所述柵極隔槽側壁和底壁上的所述導電層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長江存儲科技有限責任公司，其通訊地址為：430074 湖北省武漢市東湖新技術開發區未來三路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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