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          當前位置 : 首頁 > 專利喜報 > 上海微波技術研究所(中國電子科技集團公司第五十研究所)郭小慶獲國家專利權

          上海微波技術研究所(中國電子科技集團公司第五十研究所)郭小慶獲國家專利權

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          龍圖騰網獲悉上海微波技術研究所(中國電子科技集團公司第五十研究所)申請的專利腔體加載諧振單元嵌套二極管的太赫茲調制器獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114167625B

          龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202111397396.4,技術領域涉及:G02F1/01;該發明授權腔體加載諧振單元嵌套二極管的太赫茲調制器是由郭小慶;王曉東;馬維一;崔慧源;李云云設計研發完成,并于2021-11-23向國家知識產權局提交的專利申請。

          腔體加載諧振單元嵌套二極管的太赫茲調制器在說明書摘要公布了:本發明提供了一種腔體加載諧振單元嵌套二極管的太赫茲調制器,包括矩形波導和調制芯片,調制芯片設置在矩形波導的腔體壁上;矩形波導上設置有輸入波導口和輸出波導口;調制芯片包括半導體襯底和置于半導體襯底上的人工微結構;半導體襯底一側與矩形波導的腔體壁相接觸,人工微結構與矩形波導的腔體壁不接觸;矩形波導縱向上下兩側壁與調制芯片相接觸,矩形波導縱向上下兩側壁上分別設置有空氣窗,空氣窗用于外部控制電路與芯片上的電極進行電氣連接。本發明的調制芯片上的人工微結構采用極少的調制單元,與傳統的大陣列設計相比,存在于大陣列結構中的寄生模式被有效抑制,這有利于芯片中二極管高頻特性的發揮,從而提高器件的調制速率。

          本發明授權腔體加載諧振單元嵌套二極管的太赫茲調制器在權利要求書中公布了:1.一種腔體加載諧振單元嵌套二極管的太赫茲調制器,其特征在于,包括矩形波導1和調制芯片2,所述調制芯片2設置在所述矩形波導1的腔體壁上; 所述矩形波導1上設置有輸入波導口10和輸出波導口11,所述調制芯片2所在平面與所述輸入波導口10面、所述輸出波導口11面相垂直; 所述調制芯片2包括半導體襯底3和置于所述半導體襯底3上的人工微結構;所述半導體襯底3一側與所述矩形波導1的腔體壁相接觸,所述人工微結構與所述矩形波導1的腔體壁不接觸; 所述矩形波導1縱向上下兩側壁與所述調制芯片2相接觸,所述矩形波導1縱向上下兩側壁上分別設置有空氣窗,所述空氣窗用于外部控制電路與芯片上的電極進行電氣連接; 所述人工微結構包括調制陣列4和套接電路,所述調制陣列4與所述套接電路相連接; 所述調制陣列4是由調制單元構成的1*N型陣列,1代表調制陣列4的行數,N代表每行中調制單元的個數,其中N≥1; 所述調制陣列4內所述調制單元為兩個,所述調制單元通過并聯方式按照所述矩形波導1中太赫茲波傳輸方向順序連接,并通過各所述調制單元的共有枝節與外部饋電區域連接; 所述調制單元包括二極管7、陽極諧振器9以及陰極諧振器8; 所述陽極諧振器9和所述陰極諧振器8為大小相同的矩形結構,所述陽極諧振器9和所述陰極諧振器8對稱設置于所述二極管7兩側,所述陽極諧振器9和所述陰極諧振器8關于所述二極管7互為鏡像結構; 相鄰的所述陽極諧振器9通過橫向枝節彼此相連,相鄰的所述陰極諧振器8通過橫向枝節彼此相連; 所述二極管7置于所述陰極諧振器8和所述陽極諧振器9的間隙上方,所述二極管7的陰陽兩極分別與所述陰極諧振器8和所述陽極諧振器9相接; 所述套接電路與所述陽極諧振器9、所述陰極諧振器8相連接; 套接電路包括接地結構5和濾波饋電結構6,所述接地結構5和所述濾波饋電結構6均為緊湊的微帶諧振器; 所述接地結構5上的橫向枝節與所述陰極諧振器8一端相連,所述濾波饋電結構6上的橫向枝節與所述陽極諧振器9一端相連。

          如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人上海微波技術研究所(中國電子科技集團公司第五十研究所),其通訊地址為:200063 上海市普陀區武寧路423號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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