華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司;上海先方半導體有限公司桂萌琦獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司;上海先方半導體有限公司申請的專利一種封裝基板結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114284236B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111623684.7，技術領域涉及：H01L23/498；該發明授權一種封裝基板結構及其制備方法是由桂萌琦;方志丹;王啟東;于中堯設計研發完成，并于2021-12-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種封裝基板結構及其制備方法在說明書摘要公布了：一種封裝基板結構及其制備方法，其中，封裝基板結構包括：復合功能層；芯片，位于所述復合功能層的一側表面；位于所述芯片側部周圍的所述復合功能層上的若干分立的限位件，所述限位件包括：位于所述復合功能層一側表面的焊盤；與所述焊盤背向所述復合功能層一側的表面焊接在一起的限位部，所述限位部的橫向特征尺寸大于或等于所述焊盤的橫向特征尺寸。本發明提供的封裝基板結構對芯片定位的精度較高。
本發明授權一種封裝基板結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種封裝基板結構，其特征在于，包括： 復合功能層； 芯片，位于所述復合功能層的一側表面； 位于所述芯片側部周圍的所述復合功能層上的若干分立的限位件，所述限位件包括：位于所述復合功能層一側表面的焊盤；與所述焊盤背向所述復合功能層一側的表面焊接在一起的限位部，所述限位部的橫向特征尺寸大于或等于所述焊盤的橫向特征尺寸； 所述限位部為標準件。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司;上海先方半導體有限公司，其通訊地址為：214135 江蘇省無錫市新吳區菱湖大道200號傳感網國際創新園D1棟；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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