杭州電子科技大學(xué)張俐楠獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉杭州電子科技大學(xué)申請的專利一種基于電場作用修正硅基材料晶格缺陷的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114300355B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111637888.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/322；該發(fā)明授權(quán)一種基于電場作用修正硅基材料晶格缺陷的方法是由張俐楠;靳力春;劉紅英;吳立群;王洪成設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-12-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種基于電場作用修正硅基材料晶格缺陷的方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種基于電場作用修正硅基材料晶格缺陷的方法，本發(fā)明的一種基于電場作用修正硅基材料晶格缺陷的方法通過對濕法刻蝕后的硅基材料進行預(yù)熱處理和施加直流電場，以此來修正硅基材料自身的晶格缺陷以及其在濕法刻蝕過程中產(chǎn)生的晶格缺陷，在高溫條件下配合電場力產(chǎn)生的電子風(fēng)力作用在相關(guān)電子以及原子上，使硅基材料恢復(fù)其原本的狀態(tài)，從而提高硅基材料的品質(zhì)因數(shù)，提升其應(yīng)用性能并增大其應(yīng)用前景。
本發(fā)明授權(quán)一種基于電場作用修正硅基材料晶格缺陷的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于電場作用修正硅基材料晶格缺陷的方法，其特征在于，包括以下步驟： 將硅基材料進行清洗處理； 將所述清洗處理后的硅基材料采用濕法刻蝕方法進行刻蝕處理； 將所述刻蝕處理后的硅基材料先進行預(yù)熱處理，所述預(yù)熱處理的溫度為900~1300℃，之后在高溫狀態(tài)下施加直流電場進行晶格缺陷的修正。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人杭州電子科技大學(xué)，其通訊地址為：310018 浙江省杭州市杭州經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)白楊街道2號大街1158號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當(dāng)日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔(dān)任何法律責(zé)任的依據(jù)或者憑證。
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