上海華力集成電路制造有限公司姜林鵬獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海華力集成電路制造有限公司申請的專利優化多層薄膜回刻高度負載的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114496759B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210077102.8，技術領域涉及：H01L21/28；該發明授權優化多層薄膜回刻高度負載的方法是由姜林鵬;陸連;劉少雄;馮帥設計研發完成，并于2022-01-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本優化多層薄膜回刻高度負載的方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種優化多層薄膜回刻高度負載的方法，提供襯底，襯底上形成有溝槽；形成覆蓋在溝槽的表面內壁淀積形成的功能薄膜；在填充溝槽填充形成犧牲層；同步回刻蝕犧牲層和功能薄膜，被回刻蝕后的犧牲層上方的功能薄膜層暴露，使得溝槽內上端功能薄膜的上側被刻蝕去除；去除被回刻蝕后的犧牲層；多次形成覆蓋功能薄膜的另一層功能薄膜，每一次另一層功能薄膜形成后重復步驟填充犧牲層、回刻蝕犧牲層和功能薄膜以及去除回刻蝕后的犧牲層，在溝槽的內壁表面形成同一高度的多層功能薄膜。本發明采用在溝槽中填充犧牲層對多種填充材料進行逐層刻蝕，為多層薄膜在高深寬比深槽內的有效填充和構建工藝需求提供了解決辦法。
本發明授權優化多層薄膜回刻高度負載的方法在權利要求書中公布了：1.一種優化多層薄膜回刻高度負載的方法，其特征在于，至少包括： 步驟一、提供襯底，所述襯底上形成有溝槽； 步驟二、形成覆蓋所述溝槽表面的功能薄膜； 步驟三、填充所述溝槽形成犧牲層； 步驟四、同步回刻蝕所述犧牲層和當前最外層功能薄膜，至預定深度，以通過控制所述犧牲層的回刻蝕深度來控制所述當前最外層功能薄膜的刻蝕深度，被回刻蝕后的所述犧牲層上方的所述功能薄膜層暴露，使得所述溝槽內上端所述當前最外層功能薄膜的上側被刻蝕去除； 步驟五、去除被回刻蝕后的所述犧牲層； 步驟六、在完成前一層功能薄膜的步驟五之后，多次形成覆蓋前一層所述功能薄膜的另一層功能薄膜，每一次另一層所述功能薄膜形成后均對新形成的另一層所述功能薄膜重復步驟三至步驟五，通過對每一次形成的另一層所述功能薄膜重復步驟四的刻蝕深度控制，在所述溝槽的內壁表面形成最終高度同一高度的多層所述功能薄膜。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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