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龍圖騰網獲悉西安電子科技大學申請的專利金剛石基氮化鎵外延的襯底結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114639592B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210095235.8，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權金剛石基氮化鎵外延的襯底結構及其制備方法是由寧靜;武海迪;張進成;賈彥青;王東;馬佩軍;郝躍設計研發完成，并于2022-01-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本金剛石基氮化鎵外延的襯底結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種金剛石基氮化鎵外延的襯底結構及其制備方法，該制備方法包括：步驟1：在金剛石襯底上制備氮化鋁成核層；步驟2：在銅箔表面生長石墨烯層；步驟3：將石墨烯層從銅箔轉移至氮化鋁成核層上；步驟4：在石墨烯層上外延生長氮化鎵外延層，得到金剛石基氮化鎵外延的襯底結構。本發明的金剛石基氮化鎵外延的襯底結構的制備方法，首先在金剛石襯底上低溫磁控濺射了一層氮化鋁成核層，再通過轉移的方式將石墨烯層轉移至氮化鋁成核層上，然后再進行氮化鎵外延生長，外延得到的氮化鎵層具有良好的晶格取向，氮化鋁成核層起到了晶格修正的作用。

本發明授權金剛石基氮化鎵外延的襯底結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種金剛石基氮化鎵外延的襯底結構的制備方法，其特征在于，包括： 步驟1：在金剛石襯底上制備氮化鋁成核層；所述步驟1包括： 步驟1.1：對所述金剛石襯底和Al靶分別進行預處理；所述步驟1.1包括： 步驟1.1.1：將所述金剛石襯底加熱至500-600oC，在氬氣和氮氣的混合氣氛下，反濺射轟擊所述金剛石襯底，去除所述金剛石襯底表面的氧化層，并使所述金剛石襯底表面氮化； 步驟1.1.2：在氬氣氣氛下，對所述Al靶進行預濺射，去除所述Al靶表面的氧化層和雜質；在步驟1.1.2中，預濺射工藝為：濺射功率為45-60W，濺射時長為4-10min； 步驟1.2：在氬氣和氮氣的混合氣氛下，利用磁控濺射工藝在預處理后的金剛石襯底上淀積氮化鋁成核層，其中，濺射功率為45-60W，淀積時長為15-65min，所述氮化鋁成核層的厚度為15-100nm； 步驟2：在銅箔表面生長石墨烯層； 步驟3：將所述石墨烯層從所述銅箔轉移至所述氮化鋁成核層上，石墨烯層和磁控濺射的氮化鋁成核層作為復合插入層； 步驟4：在所述石墨烯層上外延生長氮化鎵外延層，得到金剛石基氮化鎵外延的襯底結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安電子科技大學，其通訊地址為：710000 陜西省西安市雁塔區太白南路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。