買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉安徽大學申請的專利基于SRAM陣列的多位同或運算的電路結構及方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114898789B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210625161.4，技術領域涉及：G11C11/413；該發明授權基于SRAM陣列的多位同或運算的電路結構及方法是由戴成虎;余克鋒;高珊;彭春雨;趙強;盧文娟;郝禮才;黎軒;劉立;藺智挺;吳秀龍設計研發完成，并于2022-06-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于SRAM陣列的多位同或運算的電路結構及方法在說明書摘要公布了：本發明涉及基于SRAM陣列的多位同或運算的電路結構及方法。基于SRAM陣列的多位同或運算的電路結構包括N×N個SRAM存儲單元，呈陣列分布，位于同一列的SRAM存儲單元，所有的晶體管T5的源極與位線BL電連接，所有的晶體管T6的源極與位線BLB電連接；位于同一行的SRAM存儲單元，所有的SRAM存儲單元的第一行8T?SRAM單元和第二行8T?SRAM單元共用一個重置晶體管；所有的SRAM存儲單元的第三行7T?SRAM單元共用一個復寫輔助單元。本發明能夠正確完成數字域多位同或運算，相對于模擬域的計算，數字域計算具有更高的準確度，并且不需要較為復雜的AD電路，減少電路的面積問題和電路的復雜性。

本發明授權基于SRAM陣列的多位同或運算的電路結構及方法在權利要求書中公布了：1.基于SRAM陣列的多位同或運算的電路結構，其包括： N×N個SRAM存儲單元，呈陣列分布，所述SRAM存儲單元包括三行SRAM單元，其中： 第一行8T-SRAM單元，晶體管T5和T6的柵極與字線WL電連接，節點Q與晶體管T7的柵極電連接，節點QB與晶體管T8的柵極電連接；晶體管T7和T8的源極與計算字線CWL電連接，晶體管T7的漏極電連接位線CBL，晶體管T8的漏極與位線CBLB電連接，重置晶體管T9的源極和漏極分別連接位線CBL和CBLB，重置晶體管T9的柵極電連接重置信號Reset； 第二行8T-SRAM單元，晶體管T5和T6的柵極與字線WL電連接，節點Q與晶體管T7的柵極電連接，節點QB與晶體管T8的柵極電連接；晶體管T7和T8的源極電連接與同或運算結果輸出口節點OUT電連接，晶體管T7的漏極電連接第一行的位線CBL，晶體管T8的漏極電連接第一行的位線CBLB； 第三行的7T-SRAM單元，晶體管T5和T6的柵極與字線WL電連接，晶體管T7的柵極與寫字線WWL電連接，T7的源極與節點Q電連接，T7的漏極與節點OUT電連接，晶體管T1和T2的源極與復寫輔助單元電連接； 位于同一列的SRAM存儲單元，所有的晶體管T5的源極與位線BL電連接，所有的晶體管T6的源極與位線BLB電連接； 位于同一行的SRAM存儲單元，所有的SRAM存儲單元的第一行8T-SRAM單元和第二行8T-SRAM單元共用一個重置晶體管T9；所有的SRAM存儲單元的第三行7T-SRAM單元共用一個復寫輔助單元。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人安徽大學，其通訊地址為：230022 安徽省合肥市蜀山區肥西路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。