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龍圖騰網獲悉福州大學;福建江夏學院;福建省計量科學研究院(福建省眼鏡質量檢驗站)申請的專利一種ABX₃型鈣鈦礦中A位離子摻雜改性的預測方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115374649B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211125610.5，技術領域涉及：G06F30/20；該發明授權一種ABX₃型鈣鈦礦中A位離子摻雜改性的預測方法是由吳波;姚其鵬;聞健森;蔡奇;薩百晟;邱羽;熊浩;楊愛軍;黎健生;陳榮;張隆昆;何智漢;趙艷;王煜設計研發完成，并于2022-09-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種ABX₃型鈣鈦礦中A位離子摻雜改性的預測方法在說明書摘要公布了：本發明涉及ABX3型鈣鈦礦中A位離子摻雜改性的理論預測方法。包括：分析ABX3型鈣鈦礦純物質單胞的晶體結構的穩定性；設計A位陽離子部分置換摻雜取代比例；分別對不同摻雜比例，不同摻雜位點的ABX3型鈣鈦礦進行優化，以獲得能量最低的摻雜點位構型；對每一種摻雜比例的ABX3型鈣鈦礦的最低能量構型判定其穩定性；分析ABX3型鈣鈦礦中A位陽離子摻雜改性后，晶胞參數的變化對電子結構的影響規律；對某一摻雜成分及摻雜構型鈣鈦礦材料的光學性質進行計算和分析，篩選性能優良的材料。本發明能夠對ABX3型鈣鈦礦中A位離子摻雜改性后的結構及性能進行有效預測。

本發明授權一種ABX₃型鈣鈦礦中A位離子摻雜改性的預測方法在權利要求書中公布了：1.一種ABX3型鈣鈦礦中A位離子摻雜改性的預測方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟S1、采用基于密度泛函理論的第一性原理計算方法，計算獲得ABX3型鈣鈦礦純物質單胞的晶體學結構參數，基于容忍因子分析其晶體結構的穩定性； 步驟S2、設計一系列A位陽離子部分置換摻雜的取代比例，然后基于可用的計算資源，構建超晶胞，按摻雜比例的大小，設置取代構型； 步驟S3、設計出同種替代陽離子的不同摻雜比例，對每一摻雜比例，設計取代不同摻雜取代的位點，探索摻雜粒子以近鄰聚集存在，或遠離均勻態存在，進行各種摻雜構型的第一性原理總能計算，同時獲得各種摻雜比例的ABX3型鈣鈦礦晶體結構，比較各種摻雜點位構型下體系的總能值大小，以獲得能量最低的摻雜點位構型； 步驟S31、超晶胞構建完畢后，A位陽離子位點數為NA，超晶胞種A位陽離子位點取代個數為Nd，設計A位陽離子摻雜取代構型時，選定其中一個原子為固定取代位置，即作為參考原點，用組合方法，獲得摻雜取代位點構型數量M為： 對ABX3型鈣鈦礦置換摻雜化合物進行優化離子，優化晶胞，全局優化的分布優化步驟； 步驟S32、根據A位陽離子摻雜化合物優化后的結果，獲取其晶格常數的變化，比較各種摻雜點位構型下體系的總能值大小，以獲得能量最低的摻雜點位構型； 步驟S4、對每一種摻雜比例的ABX3型鈣鈦礦的最低能量構型進行容忍因子計算，并根據容忍因子和缺陷形成能來判定其穩定性； 為確定摻雜化合物的穩定性，利用容忍因子和缺陷形成能來對其進行穩定性判定，其中容忍因子t計算公式為： 其中，rA為A位陽離子半徑，rB為B位陽離子半徑，rX為C位陰離子半徑，為計算A位陽離子摻雜化合物的容忍因子，引入不同陽離子的原子比加權平均值用作估算的有效陽離子尺寸； 缺陷形成能Ef＝Edoped-Epure-∑iniμi公式3 其中，Edoped、Epure分別表示的是摻雜化合物和ABX3型鈣鈦礦原型的形成能，等號右邊第三項表示組分變化導致的能量變化，基于原型FAPbI3，對摻雜原子，ni0；對被替代原子，ni0；μi表示相應原子塊體狀態的化學勢能； 步驟S5、對各種摻雜比例的ABX3型鈣鈦礦最低能量構型的電子結構進行計算分析，包括能帶及能帶間隙值，態密度、有效質量和電荷密度，分析晶胞參數改變對電子結構的影響； 步驟S6、采用基于密度泛函理論的第一性原理計算方法，對某一摻雜成分及摻雜構型鈣鈦礦材料的光學性質進行計算和分析，獲得介電函數實部和虛部矩陣，以及光吸收光譜、反射光譜、折射光譜和消光光譜； 步驟S7、總結歸納A位陽離子摻雜對ABX3型鈣鈦礦結構、性能的改性規律，篩選性能優良的材料。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人福州大學;福建江夏學院;福建省計量科學研究院(福建省眼鏡質量檢驗站)，其通訊地址為：350108 福建省福州市閩侯縣福州大學城烏龍江北大道2號福州大學；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。