中國科學院物理研究所陳小龍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院物理研究所申請的專利用于制備n型SiC單晶的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115821362B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211356533.4，技術領域涉及：C30B9/12；該發明授權用于制備n型SiC單晶的方法是由陳小龍;王國賓;李輝;盛達;王文軍;郭建剛設計研發完成，并于2022-11-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于制備n型SiC單晶的方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種用于制備n型SiC單晶的方法，其包括以下步驟：1將助熔劑置于石墨坩堝中，并且將SiC籽晶固定在石墨坩堝上方的提拉桿上；2將所述石墨坩堝置于生長爐中，然后對所述生長爐抽真空；3加熱石墨坩堝至所述助熔劑完全熔化以形成熔體，通入包含氮氣的混合氣體以控制生長爐內的氣壓并保持恒定的氮氣分壓；4下推提拉桿使得所述籽晶與熔體接觸，進而生長n型SiC單晶。本發明的方法能夠有效地通過液相法生長出高質量的、摻雜均勻的n型SiC單晶，而且能夠實現氮摻雜濃度的大范圍精確調控。同時，該方法還具有生長溫度低、生長速率高和生長成本低的優勢。
本發明授權用于制備n型SiC單晶的方法在權利要求書中公布了：1.一種用于制備n型SiC單晶的方法，其包括以下步驟： （1）將助熔劑置于石墨坩堝中，并且將SiC籽晶固定在石墨坩堝上方的提拉桿上； （2）將所述石墨坩堝置于生長爐中，然后對所述生長爐抽真空； （3）加熱石墨坩堝至所述助熔劑完全熔化以形成熔體，通入包含氮氣的混合氣體以控制生長爐內的氣壓并保持恒定的氮氣分壓； （4）下推所述提拉桿使得所述籽晶與熔體接觸，進而生長n型SiC單晶； 其中，所述助熔劑為不含Al的合金； 所述合金由元素Si、M、X和Z組成； 所述元素M選自Cr、Ti、Sc、Ce、Co、Ni和Ce中的一種或幾種； 所述元素X選自Fe、Co、Ni和Cu中的一種或幾種； 所述元素Z選自Ga、In、Sn、Ge、Y、La和Pr中的一種或幾種； 所述合金中的Si、M、X與Z的原子摩爾比為10-70:30-60:0.5-10:0.5-10； 所述混合氣體由氮氣與選自氧氣、氫氣、氦氣和氬氣中的一種或多種混合而成； 所述混合氣體中氮氣的體積占35%～75%。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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