中國科學院上海微系統與信息技術研究所張國峰獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院上海微系統與信息技術研究所申請的專利約瑟夫森結及超導電子器件的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115835767B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211493020.8，技術領域涉及：H10N60/01；該發明授權約瑟夫森結及超導電子器件的制備方法是由張國峰;王永良;榮亮亮;董慧;謝曉明設計研發完成，并于2022-11-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本約瑟夫森結及超導電子器件的制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種約瑟夫森結及超導電子器件的制備方法，通過制備具有不同厚度的第一超導層及第二超導層，在進行約瑟夫森結的預定義后，可對第二超導層進行第一次過刻形成第一超導條帶線，并直接進行絕緣保護層的生長和剝離，而后制備第三超導層，并進行第二超導條帶線的刻蝕，同時對第二超導層即第一超導條帶線進行第二次過刻，以通過雙過刻工藝，提供一種亞微米乃至深亞微米尺度的約瑟夫森結的制備方法，可以解決現有工藝設備的精度限制，從而降低工藝設備成本，適用于高性能實用化超導量子干涉器件和其他基于約瑟夫森結的超導電子器件的可靠制備。
本發明授權約瑟夫森結及超導電子器件的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種約瑟夫森結的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 提供襯底； 于所述襯底上形成自下而上堆疊的第一超導層、絕緣勢壘層及第二超導層，其中，所述第一超導層具有第一厚度，所述第二超導層具有第二厚度，且所述第一厚度大于所述第二厚度； 刻蝕所述第二超導層及所述絕緣勢壘層，顯露部分所述第一超導層； 刻蝕顯露的所述第一超導層形成下層引出電極，同時刻蝕所述第二超導層在所述絕緣勢壘層上形成第一超導條帶線； 形成絕緣保護層，所述絕緣保護層覆蓋所述絕緣勢壘層，且顯露所述第一超導條帶線的表面及所述下層引出電極的表面； 于所述第一超導條帶線上形成第三超導層； 刻蝕所述第三超導層形成第二超導條帶線及上層引出電極，同時刻蝕所述第一超導條帶線顯露所述絕緣勢壘層，且所述第二超導條帶線與所述第一超導條帶線交叉。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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