SK恩普士有限公司洪承哲獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉SK恩普士有限公司申請的專利半導體工藝用組合物、其制造方法和半導體器件制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116515400B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310072545.2，技術領域涉及：C09G1/02；該發明授權半導體工藝用組合物、其制造方法和半導體器件制造方法是由洪承哲;韓德洙;樸韓址;金桓鐵;金圭勛;鄭恩先設計研發完成，并于2023-01-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體工藝用組合物、其制造方法和半導體器件制造方法在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體工藝用組合物、其制造方法和半導體器件制造方法。本發明涉及一種半導體工藝用組合物，其適用于半導體晶片的拋光工藝，更具體而言，適用于涉及半導體晶片的拋光工藝的半導體工藝，所述半導體工藝用組合物包含拋光顆粒，在pH6的條件下，所述拋光顆粒的ZETA電位為?50mV至?10mV，并且由以下第1式表示的ZETA電位變化率為6mVpH至30mVpH，第1式：ZETA電位變化率mVpH＝|Z6?Z5p6?p5|，在所述第1式中，所述p6為pH6，所述p5為pH5，所述Z6為在所述pH6條件下的ZETA電位，所述Z5為在所述pH5條件下的ZETA電位。
本發明授權半導體工藝用組合物、其制造方法和半導體器件制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體工藝用組合物，其中， 包含拋光顆粒， 在pH6的條件下，所述拋光顆粒的ZETA電位為-50mV至-10mV，在pH5的條件下，所述拋光顆粒的ZETA電位為-5mV至-6mV，并且由以下第1式表示的ZETA電位變化率為14mVpH至24mVpH，由以下第4式表示的ZETA電位變化率為9.5mVpH至20mVpH，由以下第3式表示的ZETA電位變化率為8mVpH至20mVpH， 第1式： ZETA電位變化率mVpH＝|Z6-Z5p6-p5| 第4式： ZETA電位變化率mVpH＝|Z6-Z2p6-p2| 第3式： ZETA電位變化率mVpH＝|Z6-Z1p6-p1| 在所述第1式、所述第4式和所述第3式中，所述p6為pH6，所述p5為pH5，所述p2為pH2，所述p1為pH1， 所述Z6為在所述pH6條件下的ZETA電位，所述Z5為在所述pH5條件下的ZETA電位，所述Z2為在所述pH2條件下的ZETA電位，所述Z1為在所述pH1條件下的ZETA電位。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人SK恩普士有限公司，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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