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龍圖騰網(wǎng)獲悉浙江奧首材料科技有限公司申請(qǐng)的專利Low-K晶圓切割保護(hù)液、制備方法、用途和切割保護(hù)方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN117402670B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202311328269.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C10M173/02；該發(fā)明授權(quán)Low-K晶圓切割保護(hù)液、制備方法、用途和切割保護(hù)方法是由侯軍;張楠;褚雨露;于天佳設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2023-10-13向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本Low-K晶圓切割保護(hù)液、制備方法、用途和切割保護(hù)方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種用于Low?K晶圓的水基切割保護(hù)液、制備方法、用途、使用該保護(hù)液的Low?K晶圓切割保護(hù)方法等，所述保護(hù)液包括水溶性聚合物、潤(rùn)濕劑、增溶劑、消泡劑和超純水，其中通過(guò)采用較低分子量的PEOPEG與低分子量的PVP的混合物，可形成致密的網(wǎng)狀分子排布，從而可在晶圓上形成致密的膜層，阻隔了Low?K晶圓激光切割過(guò)程中產(chǎn)生的熱量及熔渣。同時(shí)在隨后刀輪切割中可包裹住切割產(chǎn)生的硅屑，起到懸浮分散顆粒及清洗晶圓的作用。因此該水基切割保護(hù)液可以同時(shí)應(yīng)用于Low?K晶圓的激光切割保護(hù)和刀輪切割保護(hù)，而無(wú)需進(jìn)行保護(hù)液的切換，可以極大地提高了生產(chǎn)效率和降低了生產(chǎn)成本，便于自動(dòng)化控制和良率控制。

本發(fā)明授權(quán)Low-K晶圓切割保護(hù)液、制備方法、用途和切割保護(hù)方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于Low-K晶圓的水基切割保護(hù)液，所述水基切割保護(hù)液以質(zhì)量份計(jì)，包括如下組分： 水溶性聚合物1-20 潤(rùn)濕劑1-5 增溶劑5-20 消泡劑0.01-1 超純水60-90 所述水溶性聚合物為聚乙二醇類聚合物、聚環(huán)氧乙烷和聚乙烯基吡咯烷酮類聚合物的三種物質(zhì)混合物，其中三者的質(zhì)量比為1-2:0.5-1:3-10； 所述聚乙二醇類聚合物的平均分子量為200-600；所述聚環(huán)氧乙烷的平均分子量為10萬(wàn)-40萬(wàn)；所述聚乙烯基吡咯烷酮類聚合物的數(shù)均分子量為40000； 所述增溶劑為異丙醇和丙二醇甲醚的混合物，兩者質(zhì)量比為1:1-2。

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