東北大學秦高梧獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉東北大學申請的專利一種聚醚醚酮薄膜繞包Cu電磁線及其制備方法和應用獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN117976347B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202410132200.6,技術領域涉及:H01F5/02;該發明授權一種聚醚醚酮薄膜繞包Cu電磁線及其制備方法和應用是由秦高梧;任玉平;李松;秦正朋設計研發完成,并于2024-01-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種聚醚醚酮薄膜繞包Cu電磁線及其制備方法和應用在說明書摘要公布了:本發明提供了一種聚醚醚酮薄膜繞包Cu電磁線及其制備方法和應用,屬于電磁線技術領域。本發明首先在銅電磁線表面磁控濺射過渡層并控制過渡層的種類,采用高活性的Al、Ti、Cr或其合金,既能夠與聚醚醚酮薄膜中的官能團形成化學鍵,又能夠與Cu層形成冶金結合,從而提高聚醚醚酮和Cu之間的結合力,然后包覆聚醚醚酮薄膜,聚醚醚酮具有較高的穩定性、力學性能、絕緣性和耐高壓擊穿及抗電暈能力,且厚度較薄,最后進行熱處理,使得聚醚醚酮薄膜厚度均勻、致密,從而使制備的聚醚醚酮薄膜繞包Cu電磁線具有優異的性能,制備方法簡單,綠色環保。
本發明授權一種聚醚醚酮薄膜繞包Cu電磁線及其制備方法和應用在權利要求書中公布了:1.一種聚醚醚酮薄膜繞包Cu電磁線的制備方法,包括以下步驟: 1在銅電磁線表面進行磁控濺射過渡層,得到過渡層包覆銅電磁線;所述過渡層包括Al層、Ti層、Cr層、Al-Ti合金層、Al-Cr合金層、Ti-Cr合金層或Al-Ti-Cr合金層;所述過渡層的厚度為2~100nm; 2在所述步驟1得到的過渡層包覆銅電磁線表面包覆聚醚醚酮薄膜,得到聚醚醚酮包覆銅電磁線;所述聚醚醚酮薄膜的厚度為2~20μm; 3將所述步驟2得到的聚醚醚酮包覆銅電磁線進行熱處理后冷卻,得到聚醚醚酮薄膜繞包Cu電磁線; 所述步驟1中磁控濺射的背底真空度<1×10-3Pa,磁控濺射的Ar壓力為0.1~2Pa,磁控濺射速率為5~100nmmin;所述步驟3中熱處理的溫度為350~420℃,熱處理的時間為1~10min。
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