蘇州大學梁卓維獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉蘇州大學申請的專利一種基于硅納米線陣列的柔性傳感器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119551629B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411631571.5，技術領域涉及：B81C1/00；該發明授權一種基于硅納米線陣列的柔性傳感器件及其制備方法是由梁卓維;趙天翊;王玉生;孫寶全設計研發完成，并于2024-11-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于硅納米線陣列的柔性傳感器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種基于硅納米線陣列的柔性傳感器件及其制備方法，屬于傳感器技術領域。本發明的制備方法包括以下步驟：S1、在硅片表面鍍銀后進行一次刻蝕，形成硅納米線陣列；S2、對一次刻蝕后的硅片進行一次超聲誘導、二次刻蝕，在硅納米線陣列底部形成裂紋；S3、在硅納米線陣列頂部涂抹增粘劑，然后在加熱條件下將硅納米線陣列轉移至基底表面，并進行剝離、固化、二次超聲誘導；S4、在二次超聲誘導后的硅納米線陣列頂部設置第二電極，得到所述的基于硅納米線陣列的柔性傳感器件。本發明所述的制備方法構建了底部聚集，頂部開放整齊的開花狀硅納米線陣列，可以更快的進行微小水滴的蒸發、摩擦、吸附、脫附、以獲得更快的響應和更好的信噪比。
本發明授權一種基于硅納米線陣列的柔性傳感器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于硅納米線陣列的柔性傳感器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： S1、在硅片表面鍍銀后進行一次刻蝕，形成硅納米線陣列； S2、對一次刻蝕后的硅片進行一次超聲誘導、二次刻蝕，在硅納米線陣列底部形成裂紋； S3、在硅納米線陣列頂部涂抹增粘劑，然后在加熱條件下將硅納米線陣列轉移至基底表面，并進行固化、二次超聲誘導、剝離；所述基底包括聚合物基底和設置于所述聚合物基底表面的第一電極；所述第一電極設置于所述硅納米線陣列和聚合物基底之間； S4、在二次超聲誘導后的硅納米線陣列頂部設置第二電極，得到所述的基于硅納米線陣列的柔性傳感器件； 所述一次超聲誘導和所述二次超聲誘導均是在水浴中進行超聲處理；所述水浴的溫度為55℃-65℃，所述超聲處理是以42000Hz-48000Hz的頻率超聲處理2min-4min。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州大學，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市吳江區久泳西路1號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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