有研國晶輝新材料有限公司黃文文獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉有研國晶輝新材料有限公司申請的專利一種大尺寸高電阻紅外硅單晶及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119465400B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411766116.6，技術領域涉及：C30B29/06；該發明授權一種大尺寸高電阻紅外硅單晶及其制備方法是由黃文文;王宇;林泉;馬遠飛;尚鵬;李燕;周雪松設計研發完成，并于2024-12-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種大尺寸高電阻紅外硅單晶及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及紅外光學材料技術領域，具體公開一種大尺寸高電阻紅外硅單晶及其制備方法。所述大尺寸高電阻紅外硅單晶中氧化鈷的摻雜濃度為10ppm~100ppm，所述大尺寸高電阻紅外硅單晶中磷的原子濃度為2×1013cm3~6×1013cm3。本發明通過向紅外硅單晶中摻入過渡金屬鈷的氧化物和磷雜質，鈷和磷的載流子與硼和氧等雜質的載流子產生復合作用，從而降低了硅單晶中自由載流子的濃度，摻雜后的硅單晶的吸收系數較小，可以明顯增加硅單晶在中波波段的紅外透過率，電阻率可達到600Ω·cm以上，可以滿足紅外硅單晶在高性能紅外光學系統中的使用要求。
本發明授權一種大尺寸高電阻紅外硅單晶及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種大尺寸高電阻紅外硅單晶，其特征在于，所述大尺寸高電阻紅外硅單晶中氧化鈷的摻雜濃度為10ppm~100ppm，所述大尺寸高電阻紅外硅單晶中磷的原子濃度為2×1013cm3~6×1013cm3。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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