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龍圖騰網(wǎng)獲悉合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利用于制作電子器件的方法及電子器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120187091B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510674970.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/01；該發(fā)明授權(quán)用于制作電子器件的方法及電子器件是由李濤;蔡宗佐;許玉威;高志杰設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-05-23向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本用于制作電子器件的方法及電子器件在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種用于制作電子器件的方法及電子器件，一般涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：在晶圓的制造區(qū)域沉積具有負(fù)泊松比材料的應(yīng)力層；對晶圓進行退火；以及去除晶圓的制造區(qū)域的應(yīng)力層。根據(jù)本發(fā)明所公開的用于制作電子器件的方法，通過在應(yīng)力記憶技術(shù)中使用負(fù)泊松比材料作為應(yīng)力層，使得應(yīng)力層晶體因受到柵電極層的熱膨脹而發(fā)生的形變可以同時在橫向、縱向保持拉伸狀態(tài)，從而提升溝道中載流子的遷移率。

本發(fā)明授權(quán)用于制作電子器件的方法及電子器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于制作電子器件的方法，其特征在于，包括： 在晶圓的制造區(qū)域沉積具有負(fù)泊松比材料的應(yīng)力層； 對所述晶圓進行退火；以及 去除所述晶圓的制造區(qū)域的所述應(yīng)力層； 所述負(fù)泊松比材料包括：SiS2；在密閉二氧化硅管中，控制硅和硫在第一反應(yīng)條件下進行反應(yīng)以制備所述SiS2；在退火過程中，半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵電極層發(fā)生熱膨脹，引起應(yīng)力層中的負(fù)泊松比材料發(fā)生形變。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區(qū)合肥綜合保稅區(qū)內(nèi)西淝河路88號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。