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龍圖騰網獲悉巨玻固能(蘇州)薄膜材料有限公司申請的專利一種真空蒸發鍍膜方法、蒸發源材料及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120423875B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510885985.9，技術領域涉及：C04B35/495；該發明授權一種真空蒸發鍍膜方法、蒸發源材料及其制備方法是由徐川;王乃成;王勝利設計研發完成，并于2025-06-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種真空蒸發鍍膜方法、蒸發源材料及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種真空蒸發鍍膜方法、蒸發源材料及其制備方法。該制備方法包括如下步驟：將Ta2O5粗粉、含有第一摻雜元素的第一摻雜源粉末和含有第二摻雜元素的第二摻雜源粉末進行混合，得到混合粉末；對混合粉末進行造粒，得到顆粒核，再在顆粒核的表面噴灑粒徑為0.1μm?0.5μm的Ta2O5細粉，以在顆粒核表面進行包覆，形成核殼式結構顆粒；對核殼式結構顆粒進行多階段升溫燒結，以形成單一亞穩相的蒸發源材料，蒸發源材料無第二相析出的Ta2O5?x材料，其中0＜x＜0.2，Ta2O5?x材料內核區域的氧空位濃度高于外殼區域。本發明方案在提高蒸發源光學性能的同時抑制飛濺現象，提升薄膜表面光潔度。

本發明授權一種真空蒸發鍍膜方法、蒸發源材料及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種用于真空蒸發鍍膜的蒸發源材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： 將粒徑為1μm-5μm的Ta2O5粗粉、含有第一摻雜元素的第一摻雜源粉末和含有第二摻雜元素的第二摻雜源粉末進行混合，得到混合粉末，所述第一摻雜元素和第二摻雜元素的總原子摻雜量為0.1at%-1at%，所述第一摻雜源粉末為五氧化二鈮、五氧化二釩、五氧化二鎢或五氧化二銻粉末，所述第二摻雜源粉末為氧化鋯、氧化鈦或氧化鉿粉末； 對所述混合粉末進行造粒，得到粒徑為0.8mm-1.2mm的顆粒核，再在所述顆粒核的表面噴灑粒徑為0.1μm-0.5μm的Ta2O5細粉，以在所述顆粒核表面進行包覆，形成粒徑為2.5mm-3.5mm的核殼式結構顆粒； 在氧氣分壓為10-5atm-10-4atm的低氧分壓氣氛下，對所述核殼式結構顆粒進行多階段升溫燒結，以形成單一亞穩相的蒸發源材料，所述蒸發源材料晶粒尺寸為20nm-50nm且無第二相析出的Ta2O5-x材料，其中0＜x＜0.2，所述Ta2O5-x材料內核區域的氧空位濃度高于外殼區域； 所述在氧氣分壓為10-5atm-10-4atm的低氧分壓氣氛下，對所述核殼式結構顆粒進行多階段升溫燒結，以形成單一亞穩相的蒸發源材料，包括如下步驟： 在氧氣分壓為10-5atm-10-4atm的低氧分壓氣氛下，以第一升溫速率將溫度升高至第一預設溫度，并保溫第一預設時間； 以第二升溫速率將溫度升高至第二預設溫度，并保溫第二預設時間； 以第三升溫速率將溫度升高至第三預設溫度，并保溫第三預設時間，其中，所述第二預設溫度大于所述第一預設溫度，且小于所述第三預設溫度； 以預設降溫速率冷卻至室溫，以形成所述蒸發源材料； 所述第一預設溫度為400℃-600℃，所述第一預設時間為0.5h-1h； 所述第二預設溫度為1000℃-1300℃，所述第二預設時間為1h-2h； 所述第三預設溫度為1400℃-1800℃，所述第三預設時間為2h-4h； 所述第一升溫速率、所述第三升溫速率和所述預設降溫速率均為2℃min-5℃min，所述第二升溫速率為8℃min-12℃min。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人巨玻固能(蘇州)薄膜材料有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市工業園區江浦路41號3幢103室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。