三國電子有限會社田中榮獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三國電子有限會社申請的專利晶體管、晶體管的制造方法、及使用該晶體管的顯示裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110957372B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910900911.2，技術領域涉及：H10D30/67；該發明授權晶體管、晶體管的制造方法、及使用該晶體管的顯示裝置是由田中榮設計研發完成，并于2019-09-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本晶體管、晶體管的制造方法、及使用該晶體管的顯示裝置在說明書摘要公布了：本發明的晶體管具有：氧化物半導體層，其配置在襯底上，且包含靠近襯底的第1區域、及配置在所述第1區域的和所述襯底側相反的面上且載流子濃度低于所述第1區域的第2區域；第1柵極電極，其具有和所述氧化物半導體層重疊的區域，且配置在所述氧化物半導體層的和所述襯底側相反的面上；第1絕緣層，其位于所述第1柵極電極和所述氧化物半導體層之間；以及第1氧化物導電層及第2氧化物導電層，它們配置在所述氧化物半導體層和所述襯底之間，且包含和所述氧化物半導體層相接的區域。
本發明授權晶體管、晶體管的制造方法、及使用該晶體管的顯示裝置在權利要求書中公布了：1.一種晶體管，其包含： 氧化物半導體層，其配置在襯底上，且包含第1區域和第2區域； 第1柵極電極，其具有和所述氧化物半導體層重疊的區域，且配置在所述氧化物半導體層的和所述襯底側相反的面上； 第1絕緣層，其位于所述第1柵極電極和所述氧化物半導體層之間；以及 第1氧化物導電層及第2氧化物導電層，它們配置在所述氧化物半導體層和所述襯底之間，且包含和所述氧化物半導體層相接的區域； 所述第1區域和所述第2區域具有重疊的區域，所述第1區域配置在所述襯底側，所述第2區域配置在和所述襯底相反一側； 所述氧化物半導體層的所述第2區域的導帶的底部的能級高于所述氧化物半導體層的所述第1區域的導帶的底部的能級； 所述氧化物半導體層的所述第2區域的帶隙大于所述氧化物半導體層的所述第1區域的帶隙；且 所述氧化物半導體層中，所述第1區域的載流子遷移率大于所述第2區域的載流子遷移率。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三國電子有限會社，其通訊地址為：日本埼玉縣；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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