盛合晶微半導體(江陰)有限公司黃晗獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉盛合晶微半導體(江陰)有限公司申請的專利晶圓級封裝結構及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113921498B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010653364.5，技術領域涉及：H01L23/538；該發明授權晶圓級封裝結構及制備方法是由黃晗;林正忠;吳政達;陳彥亨設計研發完成，并于2020-07-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本晶圓級封裝結構及制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種晶圓級封裝結構及制備方法，晶圓級封裝結構包括具有TSV的晶圓、第一重新布線層、第二重新布線層、鍵合焊盤、芯片、保護層及封裝層。其中，通過具有TSV的晶圓以及位于晶圓相對兩面的第一重新布線層及第二重新布線層，可形成三維方向堆疊密度大、外形尺寸小的晶圓級封裝結構，且可降低單一RDL的制造難度，以降低工藝復雜度及生產成本；通過TSV進行互連，可使得具有TSV的晶圓上下面良好導通，從而可大大提高芯片的速度并降低功耗，以形成具有較好的電熱性能和高效率傳輸性能的晶圓級封裝結構。
本發明授權晶圓級封裝結構及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種晶圓級封裝結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 提供晶圓，所述晶圓包括相對的第一面及第二面，且所述晶圓包括若干TSV； 形成第一重新布線層，所述第一重新布線層覆蓋所述晶圓的第一面，且與所述TSV的第一端電連接； 提供支撐基底，通過分離層將所述第一重新布線層與所述支撐基底鍵合，所述分離層包括LTHC光熱轉換層； 減薄所述晶圓，以顯露所述TSV的第二端； 形成第二重新布線層，所述第二重新布線層覆蓋所述晶圓的第二面，且與所述TSV的第二端電連接； 形成鍵合焊盤，所述鍵合焊盤位于所述第二重新布線層上，且與所述第二重新布線層電連接； 提供芯片，所述芯片位于所述第二重新布線層上，且所述芯片通過芯片焊盤與所述鍵合焊盤電連接； 形成保護層，所述保護層位于所述芯片與所述第二重新布線層之間，且填充所述芯片與所述第二重新布線層之間的間隙； 形成封裝層，所述封裝層位于所述第二重新布線層上，且覆蓋所述芯片及第二重新布線層； 去除所述分離層及支撐基底，以顯露所述第一重新布線層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人盛合晶微半導體(江陰)有限公司，其通訊地址為：214437 江蘇省無錫市江陰市長山大道78號（經營場所江陰市東盛西路9號）；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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