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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利包括厚金屬層的半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112599488B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010704750.2，技術領域涉及：H01L23/498；該發明授權包括厚金屬層的半導體器件是由李周益;慎重垣;張志熏;韓正勛;李俊雨設計研發完成，并于2020-07-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本包括厚金屬層的半導體器件在說明書摘要公布了：提供了一種半導體器件,所述半導體器件包括設置在層間絕緣層中并且設置在基底上的多個中間互連件和多個中間插塞。上絕緣層設置在層間絕緣層上。第一上插塞、第一上互連件、第二上插塞和第二上互連件設置在上絕緣層中。所述多個中間互連件中的每個具有第一厚度。第一上互連件具有大于第一厚度的第二厚度。第二上互連件具有大于第一厚度的第三厚度。第三厚度是第一厚度的2倍至100倍。第二上互連件包括與第二上插塞的材料不同的材料。

本發明授權包括厚金屬層的半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，所述半導體器件包括： 層間絕緣層，設置在基底上； 多個中間互連件，設置在層間絕緣層中； 多個中間插塞，設置在層間絕緣層中并且設置在所述多個中間互連件之間； 上絕緣層，設置在層間絕緣層上； 第一上插塞，設置在上絕緣層中并且連接到所述多個中間互連件中的一個中間互連件，所述一個中間互連件具有第一厚度； 第一上互連件，在第一上插塞上設置在上絕緣層中并且具有第二厚度，其中，第二厚度大于第一厚度； 第二上插塞，在第一上互連件上設置在上絕緣層中； 第二上互連件，在第二上插塞上設置在上絕緣層中并且具有第三厚度，其中，第三厚度大于第一厚度； 開口，被構造為穿過上絕緣層以使第二上互連件的部分暴露；以及 凸塊，設置在上絕緣層上、延伸到開口中并且接觸第二上互連件， 其中，第二上互連件的上表面包括第一部分和第二部分，第一部分被上絕緣層覆蓋，第二部分被開口暴露， 其中，上絕緣層包括順序地設置在第一上互連件與第二上互連件之間的第一上絕緣層、第二上絕緣層和第三上絕緣層， 其中，第一上絕緣層接觸第一上互連件的上表面，第三上絕緣層接觸第二上互連件的下表面， 其中，第三厚度在第一厚度的2倍至100倍的范圍內，并且 其中，第二上互連件包括與第二上插塞的材料不同的材料。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道水原市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。