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龍圖騰網(wǎng)獲悉意法半導體(圖爾)公司申請的專利保護裝置獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN112349776B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202010794409.0，技術領域涉及：H10D10/60；該發(fā)明授權保護裝置是由O·奧里設計研發(fā)完成，并于2020-08-10向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本保護裝置在說明書摘要公布了：本公開的實施例提供了一種保護裝置。本公開提供了一種包括襯底的電子裝置。襯底包括阱和橫向地圍繞該阱的外圍絕緣壁。在阱中形成至少一個橫向雙極型晶體管，并且至少一個晶體管具有在平行的集電極區(qū)域和發(fā)射極區(qū)域下延伸的基極區(qū)域。外圍絕緣壁在平行于集電極區(qū)域和發(fā)射極區(qū)域的第一方向上被加寬，使得基極區(qū)域穿透到外圍絕緣壁中。

本發(fā)明授權保護裝置在權利要求書中公布了：1.一種電子裝置，包括襯底，所述襯底包括： 阱； 外圍絕緣壁，橫向地圍繞所述阱；以及 至少一個橫向雙極型晶體管，形成在所述阱中，并且所述至少一個橫向雙極型晶體管具有在平行的集電極區(qū)域和發(fā)射極區(qū)域下延伸的基極區(qū)域； 所述外圍絕緣壁在平行于所述集電極區(qū)域和所述發(fā)射極區(qū)域的第一方向上被加寬，使得所述基極區(qū)域穿透到所述外圍絕緣壁中，其中： 所述襯底具有第一導電類型； 所述外圍絕緣壁具有所述第一導電類型； 所述基極區(qū)域具有所述第一導電類型； 所述阱具有不同于所述第一導電類型的第二導電類型；并且 所述集電極區(qū)域和所述發(fā)射極區(qū)域具有所述第二導電類型。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢嗳?a target="_blank" rel="noopener noreferrer nofollow" href="https://iptop.www.hzsmkbearing.com.cn/list?keyword=%E6%84%8F%E6%B3%95%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%28%E5%9B%BE%E5%B0%94%29%E5%85%AC%E5%8F%B8&temp=1">意法半導體(圖爾)公司，其通訊地址為：法國圖爾；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。