臺灣積體電路制造股份有限公司郭宏達獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利形成微機電系統結構的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113942973B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110314941.2，技術領域涉及：B81C1/00；該發明授權形成微機電系統結構的方法是由郭宏達;王乙翕;楊子平;王興宇;趙書漢;許希丞;周銀銅;紀元興;林生元設計研發完成，并于2021-03-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本形成微機電系統結構的方法在說明書摘要公布了：可從共晶接合序列省略預清潔工藝。為了從微機電系統MEMS結構的器件晶片的一個或多個表面去除氧化物，相對于在進行預清潔工藝時酸基刻蝕工藝的持續時間，可增加共晶接合序列中的酸基刻蝕工藝的持續時間。酸基刻蝕工藝的持續時間增加使得酸基刻蝕工藝能夠在不使用前述預清潔工藝的情況下從器件晶片的一個或多個表面去除氧化物。這降低共晶接合序列的復雜度和循環時間，降低微機電系統結構的懸置機械組件之間粘附的風險，和或降低微機電系統結構在制造期間可能變得有缺陷或不可操作的可能性，這增加工藝產量。
本發明授權形成微機電系統結構的方法在權利要求書中公布了：1.一種形成微機電系統結構的方法，包括： 從第一晶片去除光刻膠層后，使用酸性刻蝕劑刻蝕所述第一晶片一持續時間以從所述第一晶片的一個或多個部分的表面上去除原生氧化物， 其中所述持續時間在大約20秒到大約30秒范圍內， 其中所述酸性刻蝕劑包含以下中的至少一種：硝酸，乙酸，或磷酸， 其中在沒有在從所述第一晶片去除所述光刻膠層與使用所述酸性刻蝕劑刻蝕所述第一晶片之間的介入預清潔工藝的情況下，刻蝕所述第一晶片所述持續時間使得能夠從所述第一晶片的所述一個或多個部分的所述表面上去除所述原生氧化物；以及 在刻蝕所述第一晶片之后進行所述第一晶片和第二晶片的共晶接合。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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