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龍圖騰網獲悉惠州市超力源科技有限公司申請的專利一種低功耗雙向數據隔離電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115347893B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110530398.X，技術領域涉及：H03K19/0175；該發明授權一種低功耗雙向數據隔離電路是由王譯瑋;彭彩煌;袁江設計研發完成，并于2021-05-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種低功耗雙向數據隔離電路在說明書摘要公布了：本發明涉及通信電平轉換技術領域，為了解決現有技術中通信電平轉換中存在的成本高和功耗相關的技術問題，本發明的目的在于提供一種低功耗雙向數據隔離電路，包括三極管Q1、三極管Q7、NMOS管Q2、NMOS管Q3、NMOS管Q4和NMOS管Q5，分別直接或通過電阻、二極管與高電壓側邏輯單元的電源正極、時鐘信號、數據信號和電源負極連接，與低電壓側邏輯單元的電源正極、時鐘信號、數據信號和電源負極連接，通過較少的通用電阻、三極管和NMOS管，可實現兩個高電壓差的通信隔離，可很好的解決采用隔離芯片產生的成本較高、BMS工作時功耗偏大問題和高低電壓側邏輯單元功耗不一致的問題。

本發明授權一種低功耗雙向數據隔離電路在權利要求書中公布了：1.一種低功耗雙向數據隔離電路，其特征在于，包括三極管Q1、三極管Q7、NMOS管Q2、NMOS管Q3、NMOS管Q4和NMOS管Q5，以及用于和高電壓側邏輯單元的電源正極連接的接口VCC、用于和高電壓側邏輯單元的時鐘信號或數據信號連接的高電壓側通信接口、用于和高電壓側邏輯單元的電源負極連接的接口HGND、用于和低電壓側邏輯單元的電源正極連接的接口VCC_MCU、用于和低電壓側邏輯單元的時鐘信號或數據信號連接的低電壓側通信接口、用于和低電壓側邏輯單元的電源負極連接的接口GND，所述三極管Q1和三極管Q7為PNP型三極管； 所述三極管Q1的基極用于和高電壓側通信信號接口連接，所述三極管Q1的發射極通過電阻R2與所述接口VCC連接，所述接口VCC與所述三極管Q1的基極之間連接有上拉電阻R5，所述三極管Q1的集電極依次通過電阻R12、電阻R7與所述接口GND連接； 所述接口VCC依次通過電阻R1、電阻R3與所述NMOS管Q3的漏極連接，所述NMOS管Q3的源極與所述接口GND連接； 所述NMOS管Q2的漏極與所述三極管Q1的發射極連接，所述NMOS管Q2的源極與所述接口HGND連接，所述NMOS管Q2的柵極通過電阻R3與所述NMOS管Q3的漏極連接； 所述接口VCC_MCU依次通過電阻R9、電阻R4與所述接口GND連接，電阻R9和R4組成的串聯電路用于給所述NMOS管Q3的柵極提供分壓； 所述NMOS管Q4的漏極與源極之間連接有電阻R4，所述NMOS管Q4的柵極與源極之間連接有電阻R6，所述NMOS管Q4的柵極與所述三極管Q7的集電極連接，所述NMOS管Q4的源極與所述接口GND連接； 所述三極管Q7的基極依次通過電阻R10、電阻R11與所述接口VCC_MCU連接，所述三極管Q7的基極通過電阻R10與所述低電壓側通信信號接口連接； 所述NMOS管Q5的漏極通過電阻R8與所述接口VCC連接，所述NMOS管Q5的漏極與所述三極管Q7的發射極連接，所述NMOS管Q5的源極與所述接口GND連接，所述NMOS管Q5的柵極與源極之間連接有電阻R7，電阻R7與R12組成的串聯電路用于給所述NMOS管Q5的柵極提供分壓； 還包括用于提高所述NMOS管Q4開關速度的NMOS管Q15，所述NMOS管Q15的柵極與低電壓側通信接口連接，所述NMOS管Q15的漏極與所述NMOS管Q4的柵極連接，所述NMOS管Q15的源極與所述NMOS管Q4的源極連接。

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