中國科學院微電子研究所楊成樾獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院微電子研究所申請的專利一種SiC溝槽的刻蝕方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115527848B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110706098.2，技術領域涉及：H01L21/3065；該發明授權一種SiC溝槽的刻蝕方法是由楊成樾;劉新宇;白云;王臻星;韓忠霖;湯益丹;陳宏;田曉麗;陸江;郝繼龍設計研發完成，并于2021-06-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種SiC溝槽的刻蝕方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種SiC溝槽的刻蝕方法，屬于半導體加工技術領域，用于解決刻蝕后溝槽的側壁粗糙度遠高于外延和拋光過的晶圓表面，過高的粗糙度會降低導電溝道的遷移率和柵氧可靠性的問題。所述方法包括：在碳化硅基質表面制備圖形化的掩膜層；對所述掩膜層進行圖形優化；利用所述圖形優化后的掩膜層對所述碳化硅基質進行刻蝕。本發明提供的技術方案能夠降低刻蝕后碳化硅的側壁粗糙度和表面波紋度，并保證器件的電學性能。
本發明授權一種SiC溝槽的刻蝕方法在權利要求書中公布了：1.一種SiC溝槽的刻蝕方法，其特征在于，包括： 步驟1、在碳化硅基質上制備掩膜層，沿遠離碳化硅基質表面方向，所述掩膜層依次包括：第一掩膜介質層和第二掩膜介質層； 步驟2、對所述第二掩膜介質層進行圖形化； 步驟3、以所述第二掩膜介質層為掩膜刻蝕所述第一掩膜介質層，將第二掩膜介質層上的圖形傳導轉移到第一掩膜介質層上；完成第一掩膜介質層圖形化后去除殘留的第二掩膜介質層并清洗襯底； 步驟4、采用回流工藝對所述第一掩膜介質層形貌進行調整；在完成碳化硅刻蝕前，通過回流的方法降低掩膜層側壁粗糙度和表面波紋度，優化掩膜層上圖形，避免刻蝕工藝的圖形轉移過程中掩膜側壁波紋的傳導，從而降低刻蝕后碳化硅的側壁粗糙度和表面波紋度； 步驟5、以所述第一掩膜介質層為掩膜刻蝕碳化硅基質，形成所需的溝槽結構； 第一掩膜介質層與碳化硅基質的刻蝕選擇比為2-3； 所述第一掩膜介質層與所述第二掩膜介質層的厚度比為1:2-1:3； 所述步驟4，包括：在惰性氣氛和加熱溫度800℃-1200℃的條件下，加熱30min-60min。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院微電子研究所，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區北土城西路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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