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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115692414B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110851183.8，技術領域涉及：H10D84/83；該發明授權半導體結構及其形成方法是由張婷;張文設計研發完成，并于2021-07-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體的結構及其形成方法，方法包括：在襯底的頂部形成初始隔離層；在初始隔離層露出的第一鰭部和第一溝道鰭部的側壁形成保護層；去除部分厚度的初始隔離層，露出第一鰭部的部分側壁，剩余的初始隔離層作為第一隔離層；將第一隔離層和保護層露出的第一鰭部轉化為第二鰭部，在第二器件區中，位于第二鰭部頂部的剩余第一鰭部作為第二溝道鰭部；在第一器件區的第一隔離層的頂部形成第二隔離層，第二隔離層和第一隔離層構成隔離層；去除保護層；去除第二器件區中的第二鰭部和第一器件區的第一鰭部；在隔離層的頂部形成橫跨第一溝道鰭部和第二溝道鰭部的柵極結構。滿足第一型晶體管和第二型晶體管對載流子遷移率的要求，提高半導體結構的性能。

本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 襯底，所述襯底包括用于形成第一型晶體管的第一器件區和用于形成第二型晶體管的第二器件區； 第一鰭部，凸立于所述襯底的頂部，所述第一器件區的第一鰭部頂部低于所述第二器件區的第一鰭部頂部； 第二鰭部，位于所述第一器件區的所述第一鰭部的頂部，所述第二鰭部的頂部與位于所述第二器件區中的所述第一鰭部的頂部相齊平，且所述第二鰭部和第一鰭部的材料不同； 隔離層，位于所述第一鰭部和第二鰭部露出的所述襯底上，所述隔離層覆蓋所述第一鰭部和第二鰭部的側壁； 第一溝道鰭部，位于所述第一器件區的第二鰭部的頂部，且在縱向上與所述第二鰭部間隔設置； 第二溝道鰭部，位于所述第二器件區的第一鰭部的頂部，且在縱向上與所述第一鰭部間隔設置，所述第二溝道鰭部和第一溝道鰭部的材料不同； 柵極結構，位于所述隔離層的頂部且橫跨所述第一溝道鰭部和第二溝道鰭部，所述柵極結構包括柵介質層和覆蓋所述柵介質層的柵電極層，其中，在所述第一器件區中，所述柵介質層環繞覆蓋所述第一溝道鰭部的部分頂部、部分側壁和部分底部，在所述第二器件區中，所述柵介質層環繞覆蓋所述第二溝道鰭部的部分頂部、部分側壁和部分底部。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國（上海）自由貿易試驗區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。