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龍圖騰網獲悉矽磐微電子(重慶)有限公司申請的專利IPM封裝結構及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113871307B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111124246.6，技術領域涉及：H01L21/56；該發明授權IPM封裝結構及其制作方法是由涂旭峰;霍炎設計研發完成，并于2021-09-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本IPM封裝結構及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種IPM封裝結構及其制作方法，IPM封裝結構包括：控制芯片、第一塑封層、再布線層、IGBT芯片、引腳以及第二塑封層；控制芯片包括若干第一焊盤，第一焊盤位于控制芯片的活性面；第一塑封層至少包覆控制芯片的側表面，第一塑封層的正面暴露控制芯片的活性面；再布線層位于控制芯片的活性面與塑封層的正面上，再布線層至少用于對各個第一焊盤進行電路布局；IGBT芯片與引腳的內引腳部位于再布線層上，IGBT芯片與內引腳部都與再布線層電連接；第二塑封層包覆IGBT芯片、再布線層以及內引腳部，引腳的外引腳部暴露在第一塑封層與第二塑封層外。在再布線層的兩側分別設置控制芯片與IGBT芯片，可以減小封裝結構的體積，提高集成度，使結構緊湊。

本發明授權IPM封裝結構及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種IPM封裝結構的制作方法，其特征在于，包括： 提供載板與承載于所述載板的至少一組待塑封件，每組所述待塑封件包括：控制芯片，所述控制芯片包括若干第一焊盤，所述第一焊盤位于所述控制芯片的活性面；其中，所述控制芯片的活性面朝向所述載板； 在所述載板的表面形成包埋所述待塑封件的第一塑封層，所述第一塑封層包括相對正面與背面； 去除所述載板，暴露所述控制芯片的活性面以及所述第一塑封層的正面；在所述控制芯片的活性面以及所述第一塑封層的正面一側形成再布線層，所述再布線層至少用于對組內的所述控制芯片的各個所述第一焊盤進行電路布局； 提供包括內引腳部與外引腳部的引腳，將所述再布線層設置在所述內引腳部上，且使所述內引腳部與所述再布線層電連接； 在所述再布線層上設置IGBT芯片，將所述IGBT芯片與所述再布線層電連接在一起； 形成包覆所述IGBT芯片、所述再布線層以及所述內引腳部的第二塑封層，使所述外引腳部暴露在所述第一塑封層與所述第二塑封層外； 所述待塑封件包括多組，在所述形成再布線層步驟與所述將所述再布線層設置在所述內引腳部上步驟之間，所述IPM封裝結構的制作方法還包括：切割形成多個中間封裝結構，每個所述中間封裝結構包括一組所述待塑封件； 所述制作方法還包括：在所述第一塑封層的背面一側設置第一散熱板，使所述第一散熱板與所述再布線層通過第一導電柱或第一導電插塞連接在一起，所述第一散熱板用于所述控制芯片的散熱或同時用于所述控制芯片與所述IGBT芯片的散熱；所述第一散熱板遠離所述第二塑封層的表面到所述第二塑封層的距離大于所述外引腳遠離所述第二塑封層的表面到所述第二塑封層的距離。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人矽磐微電子(重慶)有限公司，其通訊地址為：401331 重慶市沙坪壩區西永大道25號C棟；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。