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龍圖騰網(wǎng)獲悉湖南大學申請的專利一種超短溝道VSe₂-WSe₂二維材料及其制備和應用獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN113990737B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202111225217.9，技術領域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權一種超短溝道VSe₂-WSe₂二維材料及其制備和應用是由段曦東;吳瑞霞設計研發(fā)完成，并于2021-10-21向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本一種超短溝道VSe₂-WSe₂二維材料及其制備和應用在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于二維材料制備和器件性能研究領域，具體公開了無光刻方法來制造超短溝道WSe2場效應晶體管的方法，步驟為：VCl3原料在530?580℃的揮發(fā)溫度、Se原料在360?380℃的揮發(fā)溫度下?lián)]發(fā)；揮發(fā)后的原料以載氣、600～620℃的沉積溫度下在WSe2二維材料的表面反應沉積，隨后冷卻，沉積的相鄰VSe2的晶界裂開形成超短溝道，制得所述的超短溝道VSe2?WSe2二維材料。本發(fā)明還包括所述的方法制得的材料以及材料的應用。本發(fā)明方法，通過所述的材料以及工藝的聯(lián)合控制，能夠意外地在無光刻下獲得窄溝道的材料，且該方法制得的材料制成的器件具有更優(yōu)的性能。

本發(fā)明授權一種超短溝道VSe₂-WSe₂二維材料及其制備和應用在權利要求書中公布了：1.一種超短溝道VSe2-WSe2二維材料的制備方法，其特征在于：VCl3原料在530-580℃的揮發(fā)溫度、Se原料在360-380℃的揮發(fā)溫度下?lián)]發(fā)；揮發(fā)后的原料以載氣、600~620℃的沉積溫度下在WSe2二維材料的表面反應沉積，隨后冷卻，沉積的相鄰VSe2的晶界裂開形成超短溝道，制得溝道寬度低于100nm的超短溝道VSe2-WSe2二維材料； 所述的WSe2二維材料的平面尺寸為100~500μm； 所述的載氣為含氫氣-保護氣的混合氣，其中，保護氣的流量為80~130sccm，H2流量為1~4sccm； VCl3、Se的質(zhì)量比為1：0.5~1。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢嗳?a target="_blank" rel="noopener noreferrer nofollow" href="https://iptop.www.hzsmkbearing.com.cn/list?keyword=%E6%B9%96%E5%8D%97%E5%A4%A7%E5%AD%A6&temp=1">湖南大學，其通訊地址為：410082 湖南省長沙市岳麓區(qū)麓山南路2號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。